[发明专利]一种三维电磁超材料及其构造方法在审
| 申请号： | 202111502236.1 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114142243A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 安慧林;李君;周云燕;张文雯;元健 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 电磁 材料 及其 构造 方法 | ||
1.一种三维电磁超材料，其特征在于，包括：
基板；以及
电磁超材料单元，其包括：
第一和第二平面单元，所述第一和第二平面单元分别布置于所述基板的第一面和第二面上；以及
纵向单元，其布置于所述基板内，其中所述纵向单元将所述第一平面单元与所述第二平面单元连接。
2.根据权利要求1所述的三维电磁超材料，其特征在于，包括多个电磁超材料单元，其中多个所述电磁超材料单元在所述基板上循环重复布置。
3.根据权利要求2所述的三维电磁超材料，其特征在于，包括介质单元，其布置于所述第一面和第二面上，其中所述介质单元将多个所述电磁超材料单元相互连接。
4.根据权利要求1所述的三维电磁超材料，其特征在于，所述第一和第二平面单元以及所述纵向单元的尺寸为大于等于1μm并且小于100μm。
5.根据权利要求1所述的三维电磁超材料，其特征在于，所述基板为硅基板。
6.根据权利要求1所述的三维电磁超材料，其特征在于，所述第一和第二平面单元为通过重布线层方法构造。
7.根据权利要求1所述的三维电磁超材料，其特征在于，所述纵向单元为通过硅通孔方法构造。
8.一种构造权利要求1-7之一所述的三维电磁超材料的方法，其特征在于，包括下列步骤：
在基板的第一面和第二面上分别通过重布线层方法构造所述第一和第二平面单元；以及
在所述基板内的通过硅通孔方法构造纵向单元以将所述第一平面单元与所述第二平面单元连接。
9.一种射频微系统，其具有权利要求1-7之一所述的三维电磁超材料，其中所述射频微系统通过所述三维电磁超材料调控电磁场。
10.根据权利要求9所述的射频微系统，其特征在于，通过配置所述三维电磁超材料的第一和第二平面单元的形状和尺寸和\或通过配置所述纵向单元的尺寸以配置所述三维电磁超材料调控电磁场的频率和带宽。
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