[发明专利]扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构

说明书

本发明的实施例提供了一种扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。通过在载具的表面贴装形成第一胶膜凸起，然后塑封后形成包覆在第一胶膜凸起外的塑封体，然后去除载具和第一胶膜凸起，保留了具有第一凹槽的塑封体，然后在第一凹槽内贴装第一芯片，并在塑封体的表面形成钝化层，最后形成布线组合层并完成植球。相较于现有技术，本发明能够避免使用硅衬底刻蚀凹槽的方式来防止芯片，从而避免了刻蚀带来的一系列问题。并且采用胶膜凸起倒模的方式，降低了工艺难度，并且对于第一凹槽的尺寸管控更为精确，有利于芯片的安装。此外，由于在载具上完成塑封动作，在载具的支撑下能够有效防止塑封翘曲问题。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，扇出型晶圆级封装(Fan-out wafer levelpackage，FOWLP)封装结构广泛应用于半导体行业中。一般采用从晶圆切下单个芯片，然后到封装一个载体晶圆上，主要优势为高密度集成，封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等，fan out技术主要是实现多引脚输出以及输出引脚间距越小，故在扇出型晶圆芯片封装过程中，容易存在塑封翘曲问题，以及随着晶圆封装数量的增加，翘曲度也随之增加。

传统工艺采用硅材料作为衬底，在进行硅材料蚀刻开槽后，将芯片贴装至硅材料凹槽中，而由于硅材料特性较脆存在受外力破损风险，一旦产生裂纹，产品可靠性受影响较大，同时现有硅材料在进行多个不同芯片晶圆封装时，需要分别进行多次蚀刻形成不同大小的凹槽，以方便放置芯片，故工艺较为复杂以及蚀刻工艺对蚀刻深度管控较难，一旦过蚀刻存在芯片背面漏底材。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构，其能够避免使用硅衬底刻蚀凹槽的放置芯片，并能够有效解决现有技术中存在的翘曲问题。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种扇出型芯片封装方法，包括：

在载具的一侧表面形成第一胶膜凸起；

在所述载具的一侧表面形成包覆在所述第一胶膜凸起外的塑封体；

去除所述载具和所述第一胶膜凸起，以在所述塑封体的一侧表面形成与所述第一胶膜凸起对应的第一凹槽；

在所述第一凹槽内贴装第一芯片；

在所述塑封体的一侧表面形成钝化层；

在所述钝化层上形成布线组合层；

在所述布线组合层上植球，以形成焊球；

其中，所述第一胶膜凸起的尺寸与所述第一芯片的尺寸相适配，所述钝化层覆盖在所述第一凹槽和所述第一芯片上，且所述焊球与所述布线组合层电连接，所述布线组合层与所述第一芯片电连接。

在可选的实施方式中，在载具的一侧表面形成第一胶膜凸起的步骤之后，所述方法还包括：

在所述载具上贴装预贴芯片。

在可选的实施方式中，在载具的一侧表面形成第一胶膜凸起的步骤，包括：

在所述载具的一侧表面设置第一胶膜层；

在所述第一胶膜层上设置第二胶膜层；

去除第一预设区域的所述第二胶膜层，并露出所述第一胶膜层，以形成第一胶膜凸起。

在可选的实施方式中，在载具的一侧表面形成第一胶膜凸起的步骤，包括：

在所述载具的一侧表面设置第一胶膜层；

在所述第一胶膜层上设置第二胶膜层；