[发明专利]一种侧蚀量可控的锗蚀刻液

权利要求书

1.一种侧蚀量可控的锗蚀刻液，其特征在于：蚀刻液主要成分包括1~15wt%的氧化剂、1~5wt%的氟离子源、0.1~1.0wt%的粘度调节剂、pH调节剂和余量的超纯水；

所述的粘度调节剂为改性烷基二乙醇酰胺、改性聚丙烯酰胺、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸盐物质中的至少一种；所述改性烷基二乙醇酰胺是指在烷基二乙醇酰胺链上引入聚琥珀酰亚胺聚合物，所述烷基二乙醇酰胺选自椰油酸二乙醇酰胺、月桂酸二乙醇酰胺中的一种；所述改性聚丙烯酰胺是指在聚丙烯酰胺长链上引入十二烷基硼酸二乙醇胺酯基团的化合物。

2.根据权利要求1所述的侧蚀量可控的锗蚀刻液，其特征在于：所述氧化剂为n-氧化吡啶、过氧乙酸、双氧水、硝酸、苯醌、蒽醌中的至少一种，所述氟离子源为氟化铵、氟化氢铵、氟硼酸、氟硼酸盐、氟硅酸、氟硅酸盐、三乙胺三氢氟酸、吡啶氢氟酸盐、四丁基氟化铵化合物中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的侧蚀量可控的锗蚀刻液，其特征在于：所述pH调节剂为氨基乙基丙二醇、咪唑、磷酸氢二钾、磷酸氢二铵物质中的一种，调整pH值为6~7。

4.一种在部分区域覆盖光阻的硅基底上裸露出锗膜层的半导体器件的蚀刻方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

S1：配置权利要求1~3中任一种侧蚀量可控的锗蚀刻液，所述锗蚀刻液包含氧化剂、氟离子源、粘度调节剂、pH调节剂和超纯水，并将锗蚀刻液导入槽式蚀刻机台的化学品缓冲槽中，蚀刻液温度控制在20℃~40℃；

S2：将5~15片半导体器件水平放入晶圆提篮，每片半导体器件上下间隔2cm，并通过卡扣固定，并将晶圆提篮浸入化学品缓冲槽的锗蚀刻液中；

S3：化学品缓冲槽循环流量设置为5~15L/min，蚀刻时间10min，蚀刻完成后取出盛放半导体器件的晶圆提篮，放入热快速干燥装置中进行清洗干燥。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述半导体器件锗膜层的厚度300nm~1000nm。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤S2中，晶圆提篮最上层的半导体器件与锗蚀刻液液面距离大于5cm。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤S3中热快速干燥装置包括60℃超纯水清洗和N₂吹干。