[发明专利]一种氮化硅与P型多晶硅等速蚀刻液

权利要求书

1.一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其特征在于，蚀刻液为电子级产品，其主要成分包含占蚀刻液质量百分比75-88%的磷酸、0.01-0.5%的单硝基化合物、0.1-1%的硝基稳定剂、0.01-0.5%的表面活性剂、余量为水，所述的单硝基化合物为3-硝基吡啶、2-硝基咪唑、3-硝基丁醇、3-硝基丙醇中的一种或几种的混合物，所述的硝基稳定剂为N-甲基苯胺、苯胺、N,N-二甲基苯胺，N,N’-二甲基-N,N’-二苯脲中的一种或几种的混合物，所述的表面活性剂为全氟烷基羧酸。

2.根据权利要求1所述的一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其特征在于，所述的磷酸为电子级磷酸，硝酸根含量＜0.05ppm，金属离子含量＜10ppb。

3.根据权利要求1所述的一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其特征在于，所述的全氟烷基羧酸选自全氟辛酸、全氟戊酸、全氟庚酸、全氟丁酸、全氟壬酸、全氟癸酸、全氟十一烷酸中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液蚀刻氮化硅与P型多晶硅的蚀刻速率比值稳定在1.0±0.1。