[发明专利]半导体工艺设备及其加热装置在审
申请号: | 202111503640.0 | 申请日: | 2021-12-09 |
公开(公告)号: | CN114188248A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 王军帅;魏景峰;赵联波 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/448 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 高东 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 及其 加热 装置 | ||
1.一种用于半导体工艺设备的加热装置,其特征在于,所述半导体工艺设备包括气源腔室(100)和管路组件(200),所述管路组件(200)与所述气源腔室(100)连通,且位于所述气源腔室(100)之外;
所述加热装置包括壳体(300)和加热组件(700),所述壳体(300)用于与所述气源腔室(100)围成封闭的加热腔室,所述管路组件(200)设于所述加热腔室,所述加热组件(700)设于所述加热腔室,且用于对所述加热腔室内的所述管路组件(200)加热。
2.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,所述壳体(300)包括至少两个壳部,所述至少两个壳部包括第一壳部和第二壳部,所述第一壳部用于与所述第二壳部相连,所述第一壳部和所述第二壳部夹设于所述气源腔室(100),以使所述壳体(300)与所述气源腔室(100)连接,所述第一壳部、所述第二壳部和所述气源腔室(100)围成至少部分所述加热腔室。
3.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,所述加热装置包括第二加热带(410)、第一基座(420)和第一调节组件(430);
所述第二加热带(410)包裹于所述气源腔室(100)的外壁;
所述第一调节组件(430)连接于所述第一基座(420)和所述第二加热带(410)之间,所述第一调节组件(430)用于驱动所述第二加热带(410)与所述壳体(300)抵接,以使所述气源腔室(100)位于所述第二加热带(410)和所述壳体(300)围成的封闭空间内。
4.根据权利要求3所述的加热装置,其特征在于,所述第一调节组件(430)包括第一调节螺栓(431)、锁紧螺母(432)和托盘(433),所述第二加热带(410)支撑于所述托盘(433),所述第一调节螺栓(431)的第一端与所述托盘(433)固定相连,所述第一调节螺栓(431)的第二端与所述第一基座(420)螺纹连接,所述第一调节螺栓(431)相对所述第一基座(420)转动可调节所述托盘(433)与所述第一基座(420)之间的间距,以驱动所述第二加热带(410)与所述壳体(300)抵接,所述锁紧螺母(432)与所述第一调节螺栓(431)螺纹配合,所述锁紧螺母(432)用于抵接于所述第一基座(420),以限制所述第一调节螺栓(431)转动。
5.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,所述加热装置包括第二加热带(410)、第二基座(440)和第二调节组件(450);
所述第二加热带(410)包裹于所述气源腔室(100)的外壁;
所述壳体(300)通过所述第二调节组件(450)与所述第二基座(440)相连,所述第二调节组件(450)通过调节所述壳体(300)相对所述第二基座(440)的距离,以驱动所述壳体(300)与所述第二加热带(410)抵接,以使所述气源腔室(100)位于所述第二加热带(410)和所述壳体(300)围成的封闭空间内。
6.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,所述加热装置包括匀热管(500),所述匀热管(500)的第一端位于所述加热腔室之外,所述匀热管的第二端穿过所述壳体(300)伸入所述加热腔室,所述匀热管(500)用于向所述加热腔室输送气体。
7.根据权利要求6所述的加热装置,其特征在于,所述匀热管(500)的伸入所述加热腔室的部分沿所述壳体(300)的内壁延伸设置,所述匀热管(500)的第二端封堵,所述匀热管(500)伸入所述加热腔室的部分开设有多个间隔设置的出气孔(510)。
8.根据权利要求6所述的加热装置,其特征在于,所述加热装置包括调节阀(600),所述调节阀(600)设于所述匀热管(500)上靠近所述第一端的区域,所述调节阀(600)用于调节所述加热腔室内的气压。
9.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,所述加热组件(700)包括第一加热带(710),所述第一加热带(710)沿所述壳体(300)的内壁铺设。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造