[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：

基板；

依次层叠于所述基板表面的键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散；所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层；所述第一方向垂直于所述基板，并由所述基板指向所述外延叠层；

第一电极，其层叠于所述第一型半导体层背离所述有源区的一侧表面；

第二电极，其层叠于所述基板的背面。

2.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，在所述防扩散层背离所述键合层的一侧表面还设有电流阻挡层，且所述电流阻挡层环绕所述金属反射镜而设置。

3.根据权利要求2所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述键合层包括含有Sn合金的键合层。

4.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述键合层包括Ni-Sn合金、Au-Sn合金、Ni-Au-Sn合金、Pb-Ag-Sn合金和Pb-Sn合金中的一种或多种。

5.根据权利要求3所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述防扩散层包括Ti、Ni、Pt、TiW、Au中的一种或者几种。

6.根据权利要求3所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述防扩散层包括沿所述键合层表面交替堆叠的Ni层和Ti层；且所述Ni层的总厚度与所述键合层中的Sn的厚度比不小于1:9。

7.根据权利要求6所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，靠近所述键合层一侧的Ni层作为接触Ni层，其与所述键合层中的Sn的厚度比不小于1:9；且其余各Ni层的厚度小于所述接触Ni层的厚度。

8.一种垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1至7任一项所述的垂直结构LED芯片，包括如下步骤：

S01、提供一生长衬底；

S02、层叠一外延叠层于生长衬底表面，所述外延叠层包括沿生长方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；

S03、在所述第二型半导体层表面沉积电流阻挡层；

S04、通过光刻和显影工艺图形化所述电流阻挡层后，制作金属反射镜，使所述电流阻挡层环绕所述金属反射镜而设置；

S05、同步蒸镀依次形成防扩散层和键合层，所述防扩散层覆盖所述电流阻挡层和所述金属反射镜的水平表面，所述键合层形成于所述防扩散层的表面；

S06、提供一基板，且所述基板通过键合工艺与所述键合层形成一体；

S07、剥离所述生长衬底，使所述第一型半导体层裸露；

S08、在所述第一型半导体层的裸露面制作形成第一电极；

S09、在所述基板背离所述键合层的一侧表面制作形成第二电极。

9.根据权利要求8所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述键合层包括含有Sn合金的键合层。

10.根据权利要求9所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述防扩散层包括沿所述键合层表面交替堆叠的Ni层和Ti层；且所述Ni层的总厚度与所述键合层中的Sn的厚度比不小于1:9。

11.根据权利要求9所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，靠近所述键合层一侧的Ni层作为接触Ni层，其与所述键合层中的Sn的厚度比不小于1:9；且其余各Ni层的厚度小于所述接触Ni层的厚度。