[发明专利]一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法

权利要求书

1.一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤一：在惰性气体氛围中将铁粉，锗粉，硒粉和碲粉充分研磨，按照铁粉:锗粉:硒粉:碲粉的摩尔比例为1-x : x : 1-y : y，x=0~0.08且x不为0，y=0.3~0.5进行混合，将均匀混合的粉末放在模具中进行压片，得到混合粉末坯体；

将上述混合粉末坯体放置在坩埚中，再将坩埚放置在石英管中，将石英管进行真空封管处理，将真空处理好的石英管放置在管式炉中进行烧结，烧结结束后取出淬火，得到Ge掺杂FeSeTe材料；

步骤二：将上述制备的Ge掺杂FeSeTe材料浸泡在酒精饮料中，密封加热到60~90℃，浸泡1~4天，然后将浸泡好的样品干燥，将样品在惰性气体氛围中研磨，将所得粉末装进模具中进行压片，将压好的坯体放置在坩埚中，再将坩埚放置在石英管中，将石英管进行真空封管处理，将真空处理好的石英管放置在管式炉中进行烧结，取出淬火，得到FeGeSeTe单晶材料品。

2.根据权利要求1所述的一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，铁粉纯度≥99.8%，锗粉纯度≥99.99%，硒粉纯度≥99.99%，碲粉纯度≥99.99%。

3.根据权利要求1所述的一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，步骤一中，烧结温度设定为从室温升温至850~1150℃，升温速率为1~3℃/分钟，保温时间为25~50小时，再以5~15℃/分钟的速率降温至300~500℃，保温时间为70~120小时。

4.根据权利要求1所述的一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，步骤二中，烧结温度设定为从室温升温至350~550℃，升温速率为1~3℃/分钟，保温时间为24~60小时。

5.根据权利要求1所述的一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，所述酒精饮料包括白酒、啤酒、红葡萄酒、白葡萄酒。

6.根据权利要求1所述的一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，步骤一和步骤二中，研磨时间为30~90分钟，压片时间为3~15分钟。

7.根据权利要求1所述的一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，步骤一和步骤二中，真空封管真空度为1.5×10^-3~2.5×10^-3Pa。

8.根据权利要求1所述的一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，步骤一和步骤二中，所述的淬火方式为烧结程序结束，马上取出材料放置在冷水中进行冷却。