[发明专利]一种抛光垫及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括使用抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序，所述抛光垫包括聚氨酯抛光层、缓冲层、粘胶层和背胶层，所述抛光垫的密度介于0.38~0.91g/cm³之间，所述抛光垫的压缩比介于0.2%~1.5%之间，所述抛光垫的邵氏硬度介于21D~70D之间；

所述抛光垫在施加压力F₀后的应力松弛阶段t时刻的回复力F_t与施加压力F₀的比值与t满足如下式（1）中的拟合关系：

f(t)=F_t/F₀=a·t^-b （1）

所述施加压力F₀的大小为66.8N，所述回复力F_t的取值频率为0.01s/次，所述式（1）中0≤t≤30s， a、b为常数，且满足：0.95≤a≤0.99和/或0.02≤b≤0.04，所述式（1）的拟合优度R²≥0.94。

2.一种抛光垫，包括聚氨酯抛光层、缓冲层、粘胶层和背胶层，其特征在于，所述抛光垫的密度介于0.38~0.91g/cm³之间，所述抛光垫的压缩比介于0.2%~1.5%之间，所述抛光垫的邵氏硬度介于21D~70D之间，所述抛光垫在施加压力F₀后的应力松弛阶段t时刻的回复力F_t与施加压力F₀的比值与t满足如下式（1）中的拟合关系：

f(t)=F_t/F₀=a·t^-b （1）

所述施加压力F₀的大小为66.8N，所述回复力F_t的取值频率为0.01s/次，所述式（1）中0≤t≤30s， a、b为常数，且满足：0.95≤a≤0.99和/或0.02≤b≤0.04，所述式（1）的拟合优度R²≥0.94。

3.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述式（1）中t=30s时f(t)满足：0.8≤f(t)≤0.95。

4.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述聚氨酯抛光层是原料组合的反应产物，所述原料组合包括第一多官能异氰酸酯与第一多元醇反应所得的第一异氰酸酯封端的预聚物、中空微球聚合物以及第一固化剂。

5.根据权利要求4所述的抛光垫，其特征在于，所述第一多官能异氰酸酯包含甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、间苯二异氰酸酯、对苯二亚甲基二异氰酸酯、间苯二亚甲基二异氰酸酯、亚乙基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯、甲基亚环己基二异氰酸酯、1，4-环己烷二异氰酸酯、二环己基甲烷二异氰酸酯中的一种或多种组合。

6.根据权利要求4所述的抛光垫，其特征在于，所述第一多元醇包含聚醚多元醇和聚酯多元醇中的一种或两者组合。

7.根据权利要求4所述的抛光垫，其特征在于，所述聚氨酯抛光层的邵氏硬度介于30D~75D之间，所述聚氨酯抛光层的密度介于0.55~1.1 g/cm³之间。

8.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述缓冲层包含无纺布之涂布浸胶物或发泡树脂中的一种，所述无纺布之涂布浸胶物为浸渍聚氨酯的无纺布，所述浸渍聚氨酯的无纺布由无纺布与聚氨酯树脂组成。

9.根据权利要求8所述的抛光垫，其特征在于，所述缓冲层的邵氏硬度介于30A~95A之间，所述缓冲层的密度介于0.2~0.75 g/cm³之间。

10.根据权利要求2所述抛光垫，其特征在于，所述抛光垫从上而下依次设置为：聚氨酯抛光层、粘胶层、缓冲层以及背胶层，所述粘胶层用于聚氨酯抛光层与缓冲层的粘合，所述背胶层用于抛光垫与抛光机台的粘合，所述背胶层还包含有离型纸或离型膜。