[发明专利]半导体器件及其制造方法以及存储器系统

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：第一半导体层、设置于所述第一半导体层的第一表面上的堆叠结构、设置于所述第一半导体层和所述堆叠结构上的第一绝缘层以及贯穿所述第一绝缘层和所述第一半导体层的第一接触结构；

在所述第一半导体层的与所述第一表面相对的第二表面上形成第二绝缘层；以及

同时形成贯穿所述第二绝缘层的第二接触结构和源极触点，所述源极触点与所述第一半导体层接触，所述第二接触结构与所述第一接触结构接触。

2.根据权利要求1所述的方法，所述第一半导体结构包括贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括功能层和半导体沟道，所述半导体沟道与所述第一半导体层接触。

3.根据权利要求2所述的方法，形成所述第一半导体层包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成牺牲半导体层，所述堆叠结构设置在所述牺牲半导体层的第一表面上，所述第一接触结构贯穿所述第一绝缘层和所述牺牲半导体层；

去除所述衬底和所述牺牲半导体层，去除部分所述功能层并暴露部分所述半导体沟道；以及

沉积所述第一半导体层。

4.根据权利要求1所述的方法，在形成所述第二绝缘层之前还包括：

形成第二半导体结构；以及

键合所述第一半导体结构和所述第二半导体结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第二半导体结构包括在衬底之上形成外围电路，所述外围电路包括多个晶体管。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在键合所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之后，所述第一接触结构经由互连结构连接至所述第二半导体结构中的所述晶体管。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体层包括掺杂多晶硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述同时形成贯穿所述第二绝缘层的第二接触结构和源极触点包括：

对所述第二绝缘层进行图案化，以在所述第二绝缘层中与所述第一接触结构对应的位置以及与所述第一半导体层对应的位置形成开口；以及

在所述开口内填充金属材料以分别形成所述第二接触结构和所述源极触点。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述金属材料包括钨。

10.一种用于制造半导体器件的方法，包括

形成牺牲半导体层；

在所述牺牲半导体层的第一表面上形成堆叠结构；

形成贯穿所述堆叠结构至所述牺牲半导体层的沟道结构，所述沟道结构包括功能层和半导体沟道；

在所述堆叠结构和所述牺牲半导体层上形成第一绝缘层；

形成贯穿所述第一绝缘层和所述牺牲半导体层的第一接触结构；

去除所述牺牲半导体层以及部分所述功能层，以暴露部分所述半导体沟道；以及

沉积第一半导体层，所述第一半导体层和所述半导体沟道接触。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述第一半导体层的远离所述堆叠结构的第二表面上形成第二绝缘层；以及

同时形成贯穿所述第二绝缘层的第二接触结构和源极触点，所述源极触点与所述第一半导体层接触，所述第二接触结构与所述第一接触结构接触。