[发明专利]量子点-半导体复合膜层及其制备方法、量子点发光器件

权利要求书

1.一种量子点-半导体复合膜层，其特征在于，包括多个量子点、以及由半导体阳离子和半导体阴离子形成的半导体填充材料；

所述半导体阳离子或所述半导体阴离子能够与所述量子点的表面的阴离子或阳离子形成离子键，形成的所述半导体填充材料填充于相邻所述量子点之间的间隙内。

2.根据权利要求1所述的量子点-半导体复合膜层，其特征在于，所述量子点表面连接有长链有机配体，所述长链有机配体的碳原子数不小于8；

所述量子点-半导体复合膜层还包括小分子配体，所述小分子配体的分子量小于所述长链有机配体的分子量；

其中，所述长链有机配体包含第一配位基团，所述小分子配体包含第二配位基团，所述第一配位基团和所述第二配位基团均用于与所述量子点表面形成配位键，所述第二配位基团与所述量子点之间的配位作用强于所述第一配位基团与所述量子点之间的配位作用。

3.根据权利要求2所述的量子点-半导体复合膜层，其特征在于，所述小分子配体选自有机小分子或卤素阴离子；

所述有机小分子的碳原子数小于所述长链有机配体的碳原子数。

4.根据权利要求1所述的量子点-半导体复合膜层，其特征在于，所述半导体填充材料为宽带隙导体，所述宽带隙半导体的带隙不小于3eV。

5.根据权利要求1所述的量子点-半导体复合膜层，其特征在于，所述半导体填充材料与所述量子点暴露表面的晶体的晶格常数匹配。

6.根据权利要求5所述的量子点-半导体复合膜层，其特征在于，所述半导体填充材料和所述量子点暴露表面的晶体包含有相同的阳离子或/和阴离子。

7.根据权利要求1所述的量子点-半导体复合膜层，其特征在于，所述半导体填充材料为P型半导体。

8.根据权利要求1所述的量子点-半导体复合膜层，其特征在于，所述半导体填充材料选自CdS、ZnS、ZnSe或ZnSeTe。

9.一种量子点-半导体复合膜层的制备方法，其特征在于，包括：

形成量子点膜层，所述量子点膜层包含多个量子点；

制备半导体阳离子前驱液和半导体阴离子前驱液；

于所述量子点膜层表面涂布所述半导体阳离子前驱液和所述半导体阴离子前驱液，形成半导体填充材料；

其中，半导体阳离子前驱液中的半导体阳离子或所述半导体阴离子前驱液中的半导体阴离子能够与所述量子点的表面的阴离子或阳离子形成离子键；

形成的所述半导体填充材料填充于相邻所述量子点之间的间隙内。

10.根据权利要求9所述的量子点-半导体复合膜层的制备方法，其特征在于，在步骤形成量子点膜层中，所述量子点膜层的所述量子点的表面连接有长链有机配体，所述长链有机配体的碳原子数不小于8，所述长链有机配体包含第一配位基团，所述第一配位基团用于与所述量子点表面形成配位键；

所述制备方法还包括：

涂布小分子配体溶液，所述小分子配体的分子量小于所述长链有机配体的分子量，所述小分子配体包括第二配位基团，所述第二配位基团用于与所述量子点表面形成配位键；

其中，所述第二配位基团与所述量子点之间的配位作用强于所述第一配位基团与所述量子点之间的配位作用。