[发明专利]高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构，其特征在于，包括上双面覆铜板、下双面覆铜板、第一芯片、第二芯片、第一铜夹、第二铜夹、引脚和塑封体，所述第一芯片的集电极焊接在上双面覆铜板的内表面，所述第二芯片的集电极焊接在下双面覆铜板的内表面，所述第一铜夹的一端焊接在下双面覆铜板的内表面上，所述第一芯片的发射极焊接在第一铜夹的上表面上，所述第二芯片的发射极焊接在第一铜夹的下表面上；所述第二铜夹的一端焊接在下双面覆铜板的内表面上，所述第一芯片的栅极焊接在第二铜夹的上表面上，所述第二芯片的栅极焊接在第二铜夹的下表面上，所述引脚焊接在下双面覆铜板的内表面上，并通过下双面覆铜板上的电路与第一芯片、第二芯片的集电极、发射极和栅极电连接，所述塑封体用于包裹第一芯片、第二芯片、第一铜夹、第二铜夹和引脚的内侧部分。

2.根据权利要求1所述的高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片为同一种芯片，且第一芯片和第二芯片上下完全对称堆叠布置。

3.根据权利要求2所述的高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构，其特征在于，所述堆叠封装结构包括多组所述第一芯片和第二芯片，组与组水平并列布置。

4.根据权利要求1所述的高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构，其特征在于，所述塑封体还用于包裹上双面覆铜板和下双面覆铜板的内表面和侧面，露出上双面覆铜板和下双面覆铜板的外表面。

5.根据权利要求1所述的高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构，其特征在于，所述堆叠封装结构还包括金属垫块，所述金属垫块设置在上双面覆铜板和下双面覆铜板之间，用于连接上双面覆铜板和下双面覆铜板形成电路回路，还用于支撑上双面覆铜板和下双面覆铜板。

6.根据权利要求1所述的高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构，其特征在于，所述金属垫块的数量为二个，分布在所述堆叠封装结构的两个对角。

7.根据权利要求1所述的高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构，其特征在于，所述第一铜夹和第二铜夹的焊接区设有焊材镀层。

8.一种权利要求1-7任一项所述高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:将第二芯片装贴在下双面覆铜板上，再将第一铜夹和第二铜夹装贴在下双面覆铜板及第二芯片上，然后进行第一次回流焊接；

S2：将第一芯片装贴在第一铜夹和第二铜夹上，将引脚装贴在下双面覆铜板上，再将上双面覆铜板装贴在第一芯片上，然后进行第二次回流焊接；

S3：进行塑封。

9.根据权利要求8所述高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构的封装方法，其特征在于，在步骤S2中，还包括将金属垫块装贴在下双面覆铜板上，再将上双面覆铜板装贴在金属垫块和第一芯片上，然后进行第二次回流焊接。