[发明专利]芯片IO口电平转串口电平的电平转换电路及转换方法在审

专利信息
申请号: 202111507557.0 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN113992198A 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 叶剑兵;应屹航;王永胜 申请(专利权)人: 杭州国芯科技股份有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/003
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 陈炜
地址: 310012 浙江省杭州市文*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 芯片 io 电平 串口 转换 电路 方法
【权利要求书】:

1.芯片IO口电平转串口电平的电平转换电路,其特征在于:包括滤波电阻R、瓷片电容C、肖特基二极管D、PNP三极管Q,以及两个控制电阻和三个回流电阻;滤波电阻R和瓷片电容C用于组成低通滤波器;PNP三极管Q作为电子开关,两个控制电阻控制PNP三极管Q的导通和关断;

所述的第一回流电阻Rh1的一端与第一控制电阻Rk1的一端连接后作为芯片侧电平端;

所述的第一控制电阻Rk1的另一端和第二控制电阻Rk2的一端接PNP三极管Q的基极,第二控制电阻Rk2的另一端与PNP三极管Q的发射极连接后作为正电源输入端VDD;第二回流电阻Rh2的一端与肖特基二极管D的阴极连接后作为负电源输入端VCC;

所述的第三回流电阻Rh3的一端和滤波电阻R的一端接PNP三极管Q的集电极,第三回流电阻Rh3的另一端接肖特基二极管D的阳极,滤波电阻R的另一端与瓷片电容C的一端连接后作为串口侧电平端;

所述的第一回流电阻Rh1、第二回流电阻Rh2、瓷片电容C的另一端接地。

2.如权利要求1所述的芯片IO口电平转串口电平的电平转换电路,其特征在于:

第一控制电阻Rk1的阻值R1和第二控制电阻Rk2的阻值R2的设定满足条件:

且其中,VEB为PNP三极管Q射基结阈值电压,VDD为正电源输入端VDD的电压,VIOL为芯片IO口输出的低电平电压,VIOH为芯片IO口输出的高电平电压;

第三回流电阻Rh3的阻值R3和滤波电阻R的阻值R4设定满足条件:其中,VCC为负电源输入端VCC的电压,VD为肖特基二极管D的导通管压降,RL为串口电平的外部设备通信端的负载电阻。

3.如权利要求2所述的芯片IO口电平转串口电平的电平转换电路,其特征在于:R1=4.3~5.1KΩ,R2=1.1~1.5KΩ,R3=430~510Ω,R4=27~47Ω。

4.采用如权利要求1所述电平转换电路的芯片IO口电平转串口电平的方法,其特征在于:将电平电路的正电源输入端VDD接芯片PCB印制板的正电源,负电源输入端VCC接芯片PCB印制板的负电源,芯片侧电平端接芯片的IO口,串口侧电平端接需要串口电平的外部设备的通信端口;

芯片PCB印制板上电后,正电源输入端VDD和负电源输入端VCC得到正负电源供电;

当芯片IO口输出低电平时,正电源输入端VDD的电压V1通过第二控制电阻Rk2和第一控制电阻Rk1后,分别经芯片侧电平端和第一回流电阻Rh1回流到地;电压V1在第二控制电阻Rk2上产生一个大于PNP三极管Q射基结阈值电压VEB的电压V2,PNP三极管Q饱和导通,电压V2被PNP三极管Q射基结钳制在阈值电压VEB;正电源输入端VDD的电压V1通过PNP三极管Q的射集结后,一路通过第三回流电阻Rh3、肖特基二极管D和第二回流电阻Rh2到回流地,另一路通过滤波电阻R后在串口侧电平端得到电压值接近电压V1的正电压V3,正电压V3符合串口低电平的标准;

当芯片IO口输出高电平时,正电源输入端VDD的电压V1经过第二控制电阻Rk2、第一控制电阻Rk1后、第一回流电阻Rh1回流到地,同时芯片IO口输出的高电平经过第一回流电阻Rh1回流到地;电压V1在第二控制电阻Rk2上产生一个小于PNP三极管Q射基结阈值电压VEB的电压V4,使得PNP三极管Q截止,正电源输入端VDD的电压V1被PNP三极管Q的射集结断开;串口侧电平端通过滤波电阻R、第三回流电阻Rh3、肖特基二极管D后,分别通过负电源输入端VCC和第二回流电阻Rh2回流到地,串口侧电平端得到负电压V5,负电压V5符合串口高电平的标准;

PNP三极管Q的导通和截止由第一控制电阻Rk1和第二控制电阻Rk2预置调节决定,串口侧电平端的电压值由滤波电阻R和第三回流电阻Rh3预置调节决定。

5.如权利要求4所述的芯片IO口电平转串口电平的方法,其特征在于:所述的第一控制电阻Rk1的阻值R1=4.3~5.1KΩ,第二控制电阻Rk2的阻值R2=1.1~1.5KΩ,第三回流电阻Rh3的阻值R3=430~510Ω,滤波电阻R的阻值R4=27~47Ω。

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