[发明专利]一种四苯基硅烷衍生物及其制备方法

权利要求书

1.一种四苯基硅烷衍生物，其特征在于：所述衍生物通式为：

其中，R为氢，烷基，卤素，氰基，硝基，芳香化合物及其衍生物或者稠环。

2.如权利要求1所述的四苯基硅烷衍生物，其特征在于：所述烷基为C1～C40，所述芳基为苯、甲苯、联苯或者其他芳基衍生物，所述稠环为萘基，菲或者蒽。

3.如权利要求1所述的四苯基硅烷衍生物的制备方法，其特征在于：所述烷基为C1～C5，所述芳基为苯环或者甲苯，所述稠环为萘基。

4.如权利要求1～3中任一项所述的四苯基硅烷衍生物，其特征在于：选自下述具体结构式：

5.一种四苯基硅烷衍生物制备方法，其特征在于：以芳基卤代物为原料在丁基锂作用下发生锂卤交换形成芳基锂试剂，所述芳基锂试剂与三苯基氯硅烷发生亲核取代反应得到四苯基硅烷衍生物。

6.如权利要求5所述的四苯基硅烷衍生物制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：在惰性气体保护下，向反应容器中加入溶剂搅拌加入芳基卤代物，待溶解后降温至-90℃～-78℃，然后滴加丁基锂，滴加完成后在-90℃～-78℃保温0.5～3小时，再在-90℃～-78℃下滴加三苯基氯硅烷溶液，滴完后升温至室温，倒入水中淬灭，抽滤得到粗品固体，粗品用甲苯煮洗后得到四苯基硅烷衍生物W1。

7.如权利要求6所述的四苯基硅烷衍生物制备方法，其特征在于：所述溶剂为四氢呋喃或者乙醚。

8.如权利要求6所述的四苯基硅烷衍生物制备方法，其特征在于：所述丁基锂为正丁基锂，仲丁基锂或者叔丁基锂。

9.如权利要求6所述的四苯基硅烷衍生物制备方法，其特征在于：所述芳基卤代物为间二溴苯，对二溴苯，对氯碘苯，间氯碘苯，3-溴-4碘联苯，2-溴菲，3-溴菲，1-溴萘，2-溴萘，4-溴甲苯，2-溴蒽或者2.6-二溴蒽。

10.一种四苯基硅烷衍生物的应用，其特征在于：将所述权利要求1～4中所述的四苯基硅烷衍生物应用于有机电至发光材料，高分子材料或者有机柔性材料。