[发明专利]一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置在审
| 申请号： | 202111508459.9 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114196946A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 袁稳;郑怡;李兵 | 申请（专利权）人： | 成都稳正科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/511 | 分类号： | C23C16/511;C23C16/27;C30B29/04;C30B25/08 |
| 代理公司： | 成都春夏知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51317 | 代理人： | 陈春华 |
| 地址： | 611730 四川省成都市郫*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 锥形 反射 多模非 圆柱 谐振腔 mpcvd 装置 | ||
1.一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：包括用于发射微波的微波发生装置，以及与微波发生装置相连接用于金刚石合成的生长腔体(1)；生长腔体(1)内设有环形石英窗(2)、位于环形石英窗(2)上方的水冷铜台天线(3)、位于上方水冷铜台天线(3)用于放置金刚石晶体的螺纹钼台、以及位于螺纹钼台上方的等离子体(4)，生长腔体(1)内顶面设有锥形反射面(5)。
2.根据权利要求1所述的一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：锥形反射面(5)位于等离子体(4)的正上方。
3.根据权利要求1所述的一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：锥形反射面(5)与生长腔体(1)之间设有一个真空腔室(6)。
4.根据权利要求3所述的一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：真空腔室(6)内设有进气通道(7)，进气通道(7)内设有进气管(8)，进气管(8)一端与外界储存工艺气体的气瓶相连接，另一端与生长腔体(1)相连通。
5.根据权利要求1所述的一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：生长腔体(1)侧壁开设有便于观察内部等离子体(4)形态和金刚石生长状况的观察窗(9)。
6.根据权利要求5所述的一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：观察窗(9)有两个、并且分别关于生长腔体(1)对称分布。
7.根据权利要求5所述的一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：观察窗(9)上密封设有耐高温玻璃。
8.根据权利要求1所述的一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：微波发生装置包括微波头(10)、与微波头(10)相连接的环形器(11)、与环形器(11)相连接的波导管(12)、以及分别与波导管(12)和生长腔体(1)相连接的模式转换器(13)。
9.根据权利要求8所述的一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：波导管(12)内设有用于实现阻抗匹配的三销钉(14)。
10.根据权利要求8所述的一种带有锥形反射顶面的多模非圆柱谐振腔MPCVD装置，其特征在于：模式转换器(13)内设有同轴线(15)、以及用于实现阻抗匹配的短路活塞(16)。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
