[发明专利]控制信息的处理方法、装置以及计算机可读存储介质在审
申请号: | 202111509170.9 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN114328345A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 胡圣领 | 申请(专利权)人: | 北京泽石科技有限公司;泽石科技(武汉)有限公司 |
主分类号: | G06F13/42 | 分类号: | G06F13/42;G06F12/0811 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 曾红芳 |
地址: | 100085 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 信息 处理 方法 装置 以及 计算机 可读 存储 介质 | ||
本发明公开了一种控制信息的处理方法、装置以及计算机可读存储介质。其中,该方法包括:确定控制信息以及对控制信息执行读写操作的直接内存存取通道;控制直接内存存取通道对控制信息进行处理。本发明解决了相关技术中通过在硬件上支持缓存一致互联协议或者寄存器触发中断的模式和固态硬盘控制器交互实现数据读写方法,导致开发工作量以及验证工作量较大的技术问题。
技术领域
本发明涉及数据处理技术领域,具体而言,涉及一种控制信息的处理方法、装置以及计算机可读存储介质。
背景技术
非易失性内存主机控制器接口规范(Non-Volatile Memory express,简称为NVMe),是一个逻辑设备接口规范。它是与高级主机控制器接口(Advanced HostController Interface,简称为AHCI)类似的、基于设备逻辑接口的总线传输协议规范(相当于通讯协议中的应用层),用于访问通过PCI-Express(PCIe)总线连接的非易失性内存介质。其中,NVMe使用队列方式和主机(CPU)进行交互,通过PRP/SGL等数据格式传递数据。数据粒度可以分为两种4B/1B。
对于数据读写方法而言,现有的技术都只是描述了NVMe的SQ/CQ的实现,通过缓存一致互联协议或者寄存器触发中断的模式和固态硬盘(Solid State Disk,简称为SSD)控制器交互。而且,在现有技术中,需要使用Verilog/VHDL等语言描述相关模块或者相关功能,并生成相关电路,代码写作/验证周期较长,且无法升级。使用verilog/VHDL等语言描写只能实现NVMe的部分功能,复杂部分仍需要片上CPU参与,无形中增加了软硬件开销,增加了功耗。另外,使用verilog/VHDL等语言描写的电路一旦出现bug,极难定位,且修复过程耗资巨大。
针对上述相关技术中通过在硬件上支持缓存一致互联协议或者寄存器触发中断的模式和固态硬盘控制器交互实现数据读写方法,导致开发工作量以及验证工作量较大的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供了一种控制信息的处理方法、装置以及计算机可读存储介质,以至少解决相关技术中通过在硬件上支持缓存一致互联协议或者寄存器触发中断的模式和固态硬盘控制器交互实现数据读写方法,导致开发工作量以及验证工作量较大的技术问题。
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种控制信息的处理方法,包括:确定控制信息以及对所述控制信息执行读写操作的直接内存存取通道;控制所述直接内存存取通道对所述控制信息进行处理。
可选地,所述控制信息为命令,所述直接内存存取通道为第一直接内存存取通道,控制所述直接内存存取通道对所述控制信息进行处理,包括:确定所述命令对应的环形队列处于空闲状态;控制所述第一直接内存存取通道执行读写操作,将所述命令写入所述命令对应的环形队列。
可选地,所述控制信息为物理区域页和/或分散聚合表,所述直接内存存取通道为第二直接内存存取通道,控制所述直接内存存取通道对所述控制信息进行处理,包括:依据所述物理区域页和/或分散聚合表对应的环形队列的空满信息,确定待处理的物理区域页和/或分散聚合表;控制所述第二直接内存存取通道执行读写操作,将所述待处理的物理区域页和/或分散聚合表写入所述物理区域页和/或分散聚合表对应的环形队列。
可选地,所述控制信息为物理区域页和/或分散聚合表,所述直接内存存取通道为第三直接内存存取通道,控制所述直接内存存取通道对所述控制信息进行处理,包括:依据所述物理区域页和/或分散聚合表设置所述第三直接内存存取通道;控制所述第三直接内存存取通道执行读写操作,将所述物理区域页和/或分散聚合表写入片上缓冲区。
可选地,在确定控制信息以及对所述控制信息执行读写操作的直接内存存取通道之前,还包括:依据缓存一致性的处理方式,对待更新到所述控制信息对应的环形队列中的所述控制信息进行预处理。
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