[发明专利]四方相碲化亚铜及其合成方法有效
| 申请号： | 202111510313.8 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114182351B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张凯;戴永平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B25/02 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 四方 相碲化亚铜 及其 合成 方法 | ||
1.一种合成四方相二维碲化亚铜的方法，其特征在于，包括：
提供铜源、碲粉和衬底；
将所述铜源、碲粉和衬底置于化学气相沉积反应腔室中，并通入输运气体；
在660～690℃的生长温度下，于所述衬底上生成四方相二维碲化亚铜。
2.如权利要求1所述的合成四方相二维碲化亚铜的方法，其特征在于，所述铜源包括铜粉和卤化物的混合物或铜盐。
3.如权利要求2所述的合成四方相二维碲化亚铜的方法，其特征在于，所述卤化物包括氯化钠、氯化钾、碘化钠、碘化钾中的至少一种；所述铜盐包括硫酸铜、硝酸铜、氯化铜、溴化铜和碘化铜中的至少一种。
4.如权利要求1～3中任一项所述的合成四方相二维碲化亚铜的方法，其特征在于，生成所述四方相二维碲化亚铜时，在15～20min内升温至660～690℃的生长温度，并在该生长温度下保温30～60min。
5.如权利要求1～3中任一项所述的合成四方相二维碲化亚铜的方法，其特征在于，所述通入输运气体包括：
以600sccm的通气流量通入5～10min的输运气体，以清洗化学气相沉积反应腔室，再保持以60～100sccm的通气流量通入输运气体。
6.如权利要求5所述的合成四方相二维碲化亚铜的方法，其特征在于，所述输运气体为氩气、氮气、氢氩混合气或氢氮混合气中的一种。
7.如权利要求1～3中任一项所述的合成四方相二维碲化亚铜的方法，其特征在于，在所述化学气相沉积反应腔室中，碲粉距离铜源15～25cm且位于铜源的上游，并且所述衬底位于铜源的上方。
8.一种四方相碲化亚铜，其特征在于，所述四方相碲化亚铜由铜源和碲粉通过化学气相沉积法，在660～690℃的生长温度下生成。
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