[发明专利]显示面板及其制备方法

说明书

本发明提供了一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括阻挡层、柔性层和金属层。所述阻挡层设于一阵列基板上。所述柔性层设于所述阻挡层远离所述阵列基板的一表面上。所述金属层设于所述柔性层远离所述阻挡层的一表面上。所述阵列基板中设有薄膜晶体管结构。所述薄膜晶体管结构在衬底层上的正投影与所述金属层在所述衬底层上的正投影重合。

技术领域

本发明涉及显示设备领域，特别是一种显示面板及其制备方法。

背景技术

在玻璃基背板上制作TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件以及驱动线路，再将LED(发光二极管)芯片转移至玻璃基背板使之与背板线路一一连接，可以实现主动式LED显示。由于TFT器件容易受到水汽影响导致电性发生偏移，影响显示效果，因此基于玻璃基TFT背板的LED显示屏欲实现量产则需要开发全新的封装技术，解决水汽对TFT电性影响。

材料的封装特性可以用水氧透过率(WVTR)这一指标衡量。例如，OLED(OrganicLight Emitting Diode，有机电致发光二极管)器件通过TFE(Thin Film Encapsulation，薄膜封装)技术所形成的封装层，其WVTR约为10-4-10-5。已量产的PCB(Printed CircuitBoard，印刷电路板)型LED显示屏通常采用硅胶或亚克力胶封装，硅胶和亚克力胶的WVTR约为1-200左右。这是由于LED芯片采用无机材料制备，相比于OLED器件具有寿命高、更耐水氧的特性，因此基于PCB的LED显示屏封装难度低。

但是，玻璃基TFT背板需要封装材料的WVTR达到10-4-10-5才能阻止水汽对于TFT器件的影响，如果采用TFE技术封装所述玻璃基LED显示屏，由于LED芯片与TFT背板之间的厚度差过高而导致TFE工艺中的无机膜层破膜，进而导致TFE封装失效，因此基于玻璃基TFT背板的LED显示屏需要开发新的封装技术。

发明内容

本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有技术中LED显示面板中的封装层封装效果不佳的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括阻挡层、柔性层和金属层。所述阻挡层设于一阵列基板上。所述柔性层设于所述阻挡层远离所述阵列基板的一表面上。所述金属层设于所述柔性层远离所述阻挡层的一表面上。所述阵列基板中设有薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构设于一衬底层上。所述薄膜晶体管结构在所述衬底层上的正投影与所述金属层在所述衬底层上的正投影重合。

进一步地，所述显示面板具有发光区以及与所述发光区连接的非发光区。所述阵列基板还设有绝缘结构，所述绝缘结构设于所述发光区和所述非发光区中的衬底层上。所述薄膜晶体结构设于所述非发光区中；

所述显示面板还包括发光器件和信号走线。所述发光器件设于所述金属层上，并位于所述发光区中。所述信号走线设于所述非发光区中的绝缘结构上。

进一步地，所述金属层包括信号连接线和电极连接线。所述信号连接线设于所述发光区中，并与所述信号走线电连接。所述电极连接线从所述非发光区延伸至所述发光区的边缘，并与所述薄膜晶体管结构电连接。所述发光器件的一连接端与所述信号连接线电连接，其另一连接端与所述电极连接线电连接。

进一步地，所述显示面板还包括封装层，所述封装层设于所述阵列基板上，并覆盖所述发光器件。

进一步地，所述显示面板还包括钝化层和遮光层。所述钝化层设于所述金属层上，并位于所述非发光区中。所述遮光层设于所述钝化层远离所述金属层的一表面上。

进一步地，所述阻挡层的材料中包含无机材料，所述柔性层的材料中包含有机材料。

进一步地，所述显示面板还包括导电层，所述导电层设于所述金属层远离所述阻挡层的一表面上。