[发明专利]一种增强型HEMT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111513810.3 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203551A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈财;蔡勇;张宝顺;邓旭光;张丽;林文魁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 hemt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种增强型HEMT器件结构的制备方法，其特征在于包括：
在第一半导体层上设置掩膜，以将所述第一半导体层表面的第一区域遮盖，并使所述第一半导体层表面的第二区域露出，所述第一区域包含与源极、漏极及栅极对应的区域；
在所述第一半导体层上生长第二半导体层，并使第二半导体层至少覆盖所述第二区域，所述第一半导体层与第二半导体层配合形成异质结结构；
去除所述掩膜，并在所述第一区域制作源极、漏极、栅极，且使所述源极、漏极分别与第二半导体层电性接触。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述掩膜为多个，并分别覆盖所述第一半导体层表面与源极、漏极、栅极对应的区域。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述第二半导体层与所述掩膜之间无接触。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述掩膜包括沿远离所述第一半导体层的方向依次叠设的第一部分和第二部分，所述第一部分的直径小于所述第二部分的直径。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述第二半导体层的厚度小于所述掩膜的第一部分的厚度。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于包括：在第一半导体层上设置连续的掩膜层，并对所述掩膜层进行刻蚀，从而形成所述掩膜。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于具体包括：
在第一半导体层上依次设置连续的第一掩膜层和连续的第二掩膜层；
对所述第一掩膜层和第二掩膜层进行干法刻蚀和/或湿法腐蚀，从而形成所述掩膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于还包括：在完成第二半导体层的生长后，采用湿法腐蚀方式去除所述掩膜。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于还包括：在所述第二半导体层上形成介质层，并使所述介质层连续覆盖所述第一半导体层表面与栅极对应的区域，之后在所述介质层上制作栅极。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于具体包括：先在所述第一半导体层上制作源极和漏极，之后在所述第二半导体层及第一半导体层上形成所述介质层，之后在所述介质层上制作栅极。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一半导体层包括沟道层和设置在所述沟道层上的插入层，所述第二半导体层包括势垒层。
12.一种采用权利要求1-11中任一项所述的方法制备而成的增强型HEMT器件结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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