[发明专利]一种增加背面栅降低关断损耗的超高压IGBT结构在审
| 申请号： | 202111513860.1 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203810A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;李岩松;陈勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增加 背面 降低 损耗 超高压 igbt 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种增加背面栅降低关断损耗的超高压IGBT结构，其元胞结构包括P型发射区(1)和N型缓冲层(2)，位于缓冲层(2)上方的N型漂移区(3)，P型基区(4)，所述P型基区(4)上设有P型高掺杂区(5)和N+型发射区(6)，器件背面有由N型发射区(7)和PolySi、SiO2组成的背面栅结构。
2.根据权利要求1所述的增加背面栅降低关断损耗的超高压IGBT结构，其特征在于，在常规IGBT结构的背面增加一个控制栅。
3.根据权利要求1和2所述的增加背面栅降低关断损耗的超高压IGBT结构，其特征在于，IGBT导通时正面栅接高电位开启，背面栅接低电位，IGBT关断时正面栅接低电位关断，背面栅接高电位开启。
4.根据权利要求1和2所述的增加背面栅降低关断损耗的超高压IGBT结构，其特征在于，所提出的IGBT器件厚度为1500μm，使得器件的耐压可以达到13kV。
5.根据权利要求1、2和4所述的增加背面栅降低关断损耗的超高压IGBT结构，其特征在于，在IGBT关断时，由背面栅开启的N型沟道将抑制P型发射区的空穴注入效率，改善电流拖尾，从而降低关断损耗。
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