[发明专利]一种基于高阶温度曲率补偿的低温漂带隙基准电压源

权利要求书

1.一种基于高阶温度曲率补偿的低温漂带隙基准电压源，其特征在于，包括基准电压产生电路A、高阶温度曲率补偿电路B和反馈电路C；所述基准电压产生电路A连接所述高阶温度曲率补偿电路B，所述高阶温度曲率补偿电路B连接反馈电路C；

所述基准电压产生电路A产生带隙电压V_BG；

所述高阶温度曲率补偿电路B包括低温补偿电路B1、高温补偿电路B2，所述低温补偿电路B1产生高阶负温度系数电流，所述高温补偿电路B2产生高阶正温度系数电流，分别在低温段和高温段对带隙电压V_BG进行曲率补偿；

所述反馈电路C产生最终与温度无关的带隙基准电压Vref，连接到带隙基准电压Vref信号输出端；

所述基准电压产生电路A包括同类型NPN管N0、N1、N2、N3、N4，同类型PNP管P2、P3,同类型电阻RL1、RL2、R0、R1、R2、R_TEMP，电源VDD、地GND、偏置模块A1、运放A2；

所述NPN管N0基极与电阻R0一端相连，电阻R0的另一端与NPN管N1基极相连，NPN管N0集电极与电阻RL1一端、运放A2的负输入端相连，电阻RL1的另一端与电阻RL2的一端、NPN管N2发射极相连;所述NPN管N2基极与NPN管N3发射极、NPN管N4基极相连，NPN管N2集电极与PNP管P2集电极、PNP管P2基极、偏置模块相连；所述偏置模块的输入端IN1与电源VDD、PNP管P2的发射极、PNP管P3的发射极、NPN管N3的集电极、NPN管N4的集电极相连；偏置模块的输出端OUT1与PNP管P3的基极相连，偏置模块的输出端OUT2与NPN管N3基极相连；所述NPN管N0发射极与电阻R1一端相连；所述电阻RL2的另一端与NPN管N1集电极、运放A2的正输入端相连；所述电阻R1另一端与电阻R2一端、NPN管N1发射极相连；所述电阻R2另一端与电阻R_TEMP一端相连；所述电阻R_TEMP另一端连接至地GND；

所述高阶温度曲率补偿电路B包括同类型NPN管N5、N6、N7、N8、N9、N10、N11、N12、N13、N14，同类型PNN管P0、P1，同类型电阻Rs0、Rs1；

所述NPN管N5的集电极与所述NPN管N1的基极相连，NPN管N5的基极与NPN管N6的基极、NPN管N6的集电极、PNP管P0的集电极相连，NPN管N5的发射极与NPN管N6的发射极、NPN管N8的发射极、NPN管N11的发射极、NPN管N12的发射极、NPN管N13的发射极、NPN管N14的发射极、电阻Rs1的一端连接至地GND；PNP管P0的发射极与运放A2输出端、电阻Rs0的一端、NPN管N7的集电极、NPN管N9的集电极、NPN管N10的集电极相连，PNP管P0的基极与PNP管P1的基极、PNP管P1的集电极、NPN管N7的基极相连；所述NPN管N7的发射极与NPN管N8的集电极相连；所述NPN管N8的基极与NPN管N11的基极、NPN管N12的基极、NPN管N12的集电极、NPN管N13的基极、NPN管N9的发射极相连；所述NPN管N11的集电极与所述PNP管P3的集电极、NPN管N9的基极、NPN管N10的基极相连；所述NPN管N13的集电极与所述NPN管N10的发射极、NPN管N14的基极、电阻Rs1的另一端相连；

所述反馈电路C包括同类型电阻RA1、RA2、RA3、带隙基准电压Vref信号输出端；

所述的NPN管N14的集电极与所述电阻RA1的一端、电阻RA2的一端相连；所述电阻RA2的另一端、NPN管N1的基极、NPN管N5的集电极、电阻RA3的一端相连；所述电阻RA3的另一端连接至地GND；电阻RA1另一端与运放A2的输出端、NPN管N14发射极连接至带隙基准电压Vref信号输出端。

2.如权利要求1所述的一种基于高阶温度曲率补偿的低温漂带隙基准电压源，其特征在于：

所述NPN管N0和N1是两个同材料晶体管。