[发明专利]一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法在审
| 申请号： | 202111514929.2 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114284157A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 尹灿;潘琴;段方;胡至宇;徐方林;张子扬;吴瑾媛;王钊 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/34 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 wlcsp 集成电路 产品 封装 散热 方法 | ||
1.一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，将2颗以上性能指标完全匹配的同晶圆WLCSP芯片集成为一个整体，产品工作时，只使用其中的一颗WLCSP芯片，其余芯片作为可靠性容余备份，当主芯片使用寿命结束或电路损坏等不工作时，芯片与芯片间的安全切换功能开启，另一颗芯片开始工作，损坏的芯片继续作为散热渠道。
2.根据权利要求1所述的一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，所述氮化镓WLCSP功放管芯片的单颗尺寸等于或小于1mm*1mm*0.495mm，厚度等于或小于300μm±12.5μm，焊柱的数量为4个，焊柱的长和宽均为0.24mm，焊柱的厚度为195μm±20μm，焊柱的节距为0.5mm。
3.根据权利要求2所述的一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，所述单颗氮化镓WLCSP功放管芯片封装产品的最大结温为133.7510℃，热阻结果为21.7502℃/W。
4.根据权利要求1所述的一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，将4颗所述氮化镓功放管芯片集成为WLCSP产品，所述WLCSP产品的尺寸为2mm*2mm*0.495mm，最大结温为97.9119℃，热阻结果为12.5824℃/W。
5.根据权利要求1所述的一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，将9颗所述氮化镓功放管芯片集成为WLCSP产品，所述WLCSP的产品尺寸为3mm*3mm*0.495mm，最大结温为53.4741℃，热阻结果为5.6948℃/W。
6.根据权利要求1所述的一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，所述氮化镓WLCSP功放管芯片封装产品的焊柱材质为锡银铜合金，热导率设为58W/mK。
7.根据权利要求1所述的一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，所述WLCSP封装产品的长*宽小于或等于5.00mm*5.00mm，集成度为2～25颗WLCSP功放管芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
