[发明专利]一种掺硅补锂负极片及其制备方法以及锂离子电池

权利要求书

1.一种掺硅补锂负极片，其特征在于，从上至下依次包括第一掺硅涂层、第一负极集流体、补锂层、第二负极集流体和第二掺硅涂层，第一掺硅涂层与第二掺硅涂层连接，第一负极集流体与第二负极集流体连接。

2.根据权利要求1所述的掺硅补锂负极片，其特征在于，所述第一掺硅涂层与第二掺硅涂层一体成型连接，第一负极集流体与第二负极集流体一体成型连接。

3.根据权利要求1或2所述的掺硅补锂负极片，其特征在于，所述补锂层的厚度为1～100μm，所述第一掺硅涂层和/或第二掺硅涂层的厚度为10～50μm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种掺硅补锂负极片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、配制负极硅基浆料，取一负极集流体，将负极硅基浆料涂覆于负极集流体的一表面形成负极硅基涂层得到基片；

步骤S2、取一补锂片，将补锂片设置于基片远离负极硅基浆料的另一表面得到复合基片；

步骤S3、以补锂片为内侧面，将复合基片翻折，使补锂片对折形成补锂层，负极集流体对折形成第一负极集流体和第二负极集流体，负极硅基涂层对折形成第一掺硅涂层和第二掺硅涂层。

5.根据权利要求4所述的一种掺硅补锂负极片的制备方法，其特征在于，所述负极硅基浆料包括石墨、硅基材料、导电碳和粘结剂，所述石墨、硅基材料、导电碳、粘结剂按重量份数比为50～80:20～40:1～5:1～5。

6.根据权利要求5所述的一种掺硅补锂负极片的制备方法，其特征在于，所述硅基材料包括单质硅、硅氧材料、硅碳材料、合金硅材料中的一种或几种混合物。

7.根据权利要求5所述的一种掺硅补锂负极片的制备方法，其特征在于，所述石墨包括人造石墨、天然石墨、硬碳、软碳中的一种或几种混合物。

8.根据权利要求4所述的一种掺硅补锂负极片的制备方法，其特征在于，所述步骤S1还包括将基片烘烤至水含量在150ppm以下。

9.根据权利要求4所述的一种掺硅补锂负极片的制备方法，其特征在于，所述步骤S1、和步骤S2制备环境的露点在-35℃以下。

10.一种锂离子电池，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的掺硅补锂负极片。