[发明专利]一种套刻误差的测量方法

权利要求书

1.一种套刻误差的测量方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆，所述晶圆由切割道划分为若干曝光单元；

在所述晶圆的边缘区域的第零曝光单元的零层与当层内形成第一套刻测量结构，通过所述第一套刻测量结构检测所述第零曝光单元内零层与当层之间的套刻误差；

在所述当层内，相邻两个曝光单元之间的切割道中形成第二套刻测量结构，通过所述第二套刻测量结构检测当层内所述相邻曝光单元之间的拼接误差；

通过所述第零曝光单元内的零层与当层之间的套刻误差与所述当层内相邻曝光单元之间的拼接误差计算每个曝光单元的当层与零层之间的套刻误差；

通过每个曝光单元的当层与零层之间的套刻误差计算整个晶圆的当层与零层之间的套刻误差；

其中，所述当层为形成于所述晶圆表面的第一层、第二层…第K层中的一种，K≥2，K为整数。

2.根据权利要求1所述的套刻误差的测量方法，其特征在于，在所述晶圆的边缘区域的第零曝光单元的零层与当层内形成第一套刻测量结构，包括：

在所述晶圆的边缘区域的第零曝光单元上形成零层套刻标记；

在具有零层套刻标记的晶圆的表面形成当层；

在所述当层对应于所述零层套刻标记的位置形成当层套刻标记，所述零层套刻标记与所述当层套刻标记形成所述第一套刻测量结构。

3.根据权利要求2所述的套刻误差的测量方法，其特征在于，在所述当层内，相邻两个曝光单元之间的切割道中形成第二套刻测量结构，包括：

在当层内的每个曝光单元的切割道上形成第一拼接标记，所述第一拼接标记用于标记当前曝光单元；

在当层内的每个曝光单元的切割道上形成第二拼接标记，所述第二拼接标记用于标记与所述当前曝光单元相邻的曝光单元，并且所述第一拼接标记与所述第二拼接标记一一对应，所述第一拼接标记与第二拼接标记形成所述第二套刻测量结构。

4.根据权利要求1或3所述的套刻误差的测量方法，其特征在于，通过所述第零曝光单元内的零层与当层之间的套刻误差与所述当层内相邻曝光单元之间的拼接误差计算每个曝光单元的当层与零层之间的套刻误差，包括：

检测获得所述第零曝光单元的零层与当层的套刻误差为(x0，y0)，与所述第零曝光单元在X方向依次并排的曝光单元包括第一曝光单元、第二曝光单元……第N曝光单元，检测所述第零曝光单元的当层与第一曝光单元的当层之间的拼接误差为(x1，y1)，所述第一曝光单元的当层与第二曝光单元的当层之间的拼接误差为(x2，y2)……所述第N-1曝光单元的当层与第N曝光单元的当层之间的拼接误差为(xN，yN)，则：

所述第一曝光单元的零层与当层之间的套刻误差为(x0+x1，y0+y1)；

所述第二曝光单元的零层与当层之间的套刻误差为(x0+x1+x2，y0+y1+y2)；

……

所述第N曝光单元的零层与当层之间的套刻误差为(x0+x1+x2…+xN，y0+y1+y2……yN)。

5.根据权利要求1或3所述的套刻误差的测量方法，其特征在于，通过所述第零曝光单元内的零层与当层之间的套刻误差与所述当层内相邻曝光单元之间的拼接误差计算每个曝光单元的当层与零层之间的套刻误差，包括：

检测所述第零曝光单元的的套刻误差为(x0，y0)，与所述第零曝光单元在Y方向依次并排的曝光单元包括第一曝光单元’、第二曝光单元’……第N曝光单元’，所述第零曝光单元的当层与第一曝光单元’的当层之间的拼接误差为(x1’，y1’)，所述第一曝光单元’的当层与第二曝光单元’的当层之间的拼接误差为(x2’，y2’)……所述第N-1曝光单元’的当层与第N曝光单元’的当层之间的拼接误差为(xN’，yN’)，则：

所述第一曝光单元’的零层与当层之间的套刻误差为(x0+x1’，y0+y1’)；

所述第二曝光单元’的零层与当层之间的套刻误差为(x0+x1’+x2’，y0+y1’+y2’)；

……

所述第N曝光单元’的零层与当层之间的套刻误差为(x0+x1’+x2’…+xN’，y0+y1’+y2’……yN’)。