[发明专利]一种利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法及有机晶体薄膜与应用在审
| 申请号： | 202111518511.9 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114318546A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 胡继文;李诗;唐秋实;王晓飞;桂雪峰;涂园园;黄振祝;林树东 | 申请（专利权）人： | 国科广化精细化工孵化器（南雄）有限公司;国科广化韶关新材料研究院;国科广化（南雄）新材料研究院有限公司;中科院广州化学有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/06;H01L51/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 文静 |
| 地址： | 512400 广东省韶关市南雄市东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 微流控 技术 有机 晶体 薄膜 外延 生长 方法 应用 | ||
1.一种利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)晶体溶液的制备：在40～100℃下，将具有取向性的高分子材料溶于溶剂中，然后在-20～10℃下冷藏，得到晶体溶液；
(2)有机晶体薄膜的制备：晶体溶液在氮气的作用下，在微流控装置内部形成气流差，带动溶液在微纳米孔道中喷射到衬底表面，形成晶体初级薄膜，干燥后得到有机晶体薄膜。
2.根据权利要求1所述的利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法，其特征在于，步骤(1)所述高分子材料为聚氧化乙烯、聚乳酸、聚乙烯、并四苯、8-羟基喹啉铝或N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺中的一种。
3.根据权利要求1所述的利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法，其特征在于，步骤(1)所述溶剂为二氯甲烷、三氯甲烷、甲苯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯、乙二醇单甲醚或乙二醇单乙醚中的一种。
4.根据权利要求1所述的利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法，其特征在于，当步骤(1)所述高分子材料为聚氧化乙烯，所述晶体溶液的制备具体为：
在55～65℃下，将具有取向性的高分子材料溶于溶剂中，然后在2～6℃下冷藏，得到晶体溶液。
5.根据权利要求4所述的利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法，其特征在于，步骤(1)所述冷藏的时间为20～28小时。
6.根据权利要求1所述的利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法，其特征在于，步骤(2)所述衬底料为SiC或PET。
7.根据权利要求1所述的利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法，其特征在于，步骤(2)所述干燥为真空常温干燥。
8.根据权利要求1所述的利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法，其特征在于，步骤(2)所述干燥的时间为6～96h。
9.一种有机晶体薄膜，其特征在于，由权利要求1至8任一项所述的利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法制备得到。
10.一种有机晶体薄膜在半导体制造领域中的应用。
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