[发明专利]反向阻断高迁移率晶体管

权利要求书

1.一种反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，包括自下而上依次为衬底层、以及设置在所述衬底层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极分别制备在所述源极金属结构层、栅极金属结构层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间沿着与源极到漏极方向相垂直的方向间隔设置有若干P型半导体层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层的接触面之间形成肖特基接触，漏电极制备在所述P型半导体层与所述肖特基接触层的接触面。

2.根据权利要求1所述的反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，所述源极金属结构层与所述异质结结构层之间是n型欧姆接触，所述栅极金属结构层与所述异质结结构层之间是肖特基接触。

3.根据权利要求1所述的反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，所述漏电极包括一个或多个欧姆接触，所述肖特基接触层与所述欧姆接触连接。

4.根据权利要求1所述的反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，所述栅极金属结构层和所述异质结结构层之间还设置有盖层，所述盖层是全P型结构层、N-P型结构层、P-N型结构层、P-N-P-N结构、N-P-N-P结构、超晶格结构、或绝缘层结构。

5.根据权利要求1所述的反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，所述P型半导体层与所述肖特基接触层之间还设置有欧姆接触层。

6.根据权利要求1所述的反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，所述P型半导体层覆盖所述异质结结构层，所述P型半导体层之间形成若干凹槽，在所述凹槽区域所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间形成肖特基接触；

或者，所述P型半导体层覆盖所述异质结结构层并形成若干凸起部，在所述凸起部之间所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间形成肖特基接触。

7.根据权利要求5所述的反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，所述P型半导体层包括多个依次排列的独立几何形状区域，所述肖特基接触层和/或所述欧姆接触层沿着所述独立几何形状区域排列方向设置在所述独立几何形状区域；

或者，所述P型半导体层包括多个依次排列的独立几何形状区域，所述肖特基接触层和/或所述欧姆接触层覆盖在所述独立几何形状区域上。

8.根据权利要求5所述的反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，所述P型半导体层包括多个依次排列的独立几何形状区域，所述肖特基接触层和/或所述欧姆接触层沿着所述独立几何形状区域排列方向一侧部分覆盖在所述独立几何形状区域上；

或者，所述P型半导体层包括多个依次排列的独立几何形状区域，多个所述肖特基接触层和/或所述欧姆接触层依次部分覆盖在所述独立几何形状区域上。

9.根据权利要求1所述的反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，所述异质结结构层、所述源极金属结构层、所述栅极金属结构层、所述肖特基接触层上覆盖设置有钝化绝缘层，在所述钝化绝缘层上对应所述源电极、栅电极、漏电极开设电极窗口。