[发明专利]一种PEDOT:PSS自支撑热电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将PEDOT:PSS水溶液涂覆在基底上，之后干燥，基底上形成PEDOT:PSS层，得到复合物A；

将复合物A浸泡在有机极性溶剂中，PEDOT:PSS外壁绝缘的PSS去除，基底上形成PEDOT:PSS薄膜，之后去除PEDOT:PSS薄膜中的有机极性溶剂后干燥，得到复合物B；

在复合物B上滴入L-抗坏血酸溶液，使L-抗坏血酸溶液覆盖复合物B的上表面层，之后去除L-抗坏血酸溶液后干燥，去掉基底，得到PEDOT:PSS自支撑热电薄膜。

2.根据权利要求1所述的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法，其特征在于，先将基底依次用去离子水、丙酮、异丙醇清洗干净，之后干燥，再将PEDOT:PSS水溶液涂覆在得到的基底上。

3.根据权利要求1所述的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的有机极性溶剂为乙二醇、甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、山梨醇、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮或甘油。

4.根据权利要求1所述的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法，其特征在于，将PEDOT:PSS水溶液涂覆在基底上后，在50～100℃下真空干燥8～12h，得到复合物A。

5.根据权利要求1所述的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的复合物A在有机极性溶剂中浸泡5～20min，再取出，然后去除PEDOT:PSS薄膜中的有机极性溶剂。

6.根据权利要求1所述的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法，其特征在于，将所述的PEDOT:PSS薄膜冲洗后在60～80℃下干燥10～20min，得到复合物B。

7.根据权利要求1所述的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述复合物B上滴入的L-抗坏血酸溶液的浓度为0.5～1.5mol/L。

8.根据权利要求1所述的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的L-抗坏血酸溶液滴在复合物B上后，停留5～20min再去除L-抗坏血酸溶液。

9.根据权利要求1所述的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述复合物B的上表面层去除L-抗坏血酸溶液后在60～80℃下干燥。

10.一种由权利要求1～9中任意一项所述的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜的制备方法得到的PEDOT:PSS自支撑热电薄膜。