[发明专利]一种面向EMI滤波器的优化方法及EMI滤波器有效
申请号: | 202111520313.6 | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN114172484B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 李亮;陈晋玮;陈坤;尹红波;王成;寇小兵;张发成;陈澄 | 申请(专利权)人: | 扬州海科电子科技有限公司 |
主分类号: | H03H9/05 | 分类号: | H03H9/05;H03H9/10;G06F30/367 |
代理公司: | 成都精点专利代理事务所(普通合伙) 51338 | 代理人: | 王记明 |
地址: | 225000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面向 emi 滤波器 优化 方法 | ||
本发明涉及滤波技术领域,尤其涉及一种面向EMI滤波器的优化方法及EMI滤波器,包括如下步骤:S1.选择电路基片;S2.仿真模拟,在所选电路基片上基于二极管特性进行建模仿真实验;S3.一次选取实验,选择限幅器进行功率测试;S4.二次选取实验,在已经接入限幅器的电路上集成高通滤波器进行功率实验,其中高通滤波器采用椭圆函数型;S5.优化并联设计,对已经集成高通滤波器的限幅器进行并联设计,再次进行功率测试;S6.整合实验,根据优化并联设计实验结果,调整接入方式,再次进行功率测试;S7.循环,申请人采用上述步骤进行滤波器的优化设计,可以保证在对应5G时代的到来,可以有效解决在射频链路的前端的噪声,高效提高滤波器的滤波效果。
技术领域
本发明涉及滤波技术领域,尤其涉及一种面向EMI滤波器的优化方法及EMI滤波器。
背景技术
滤波器,是对波进行过滤的器件,可由电容、电感和电阻组成的滤波电路,以对电源线中特定频率的频点或该频点以外的频率进行有效率除,即可用于过滤各种噪声信号,得到一个特定频率的电源信号,或消除一个特定频率后的电源信号。在长期演进技术(LongTerm Evolution,LTE)的领域中,如声表面波滤波器(Surface Acoustic wave filter,SAWF)或体声波滤波器(Bulk Acoustic wave filter,BAWF)等滤波器因为具有窄频宽、高抑制、低损耗等特点而受到广泛地使用。但在频率越高的应用中,声表面波滤波器与体声波滤波器反而会产生通带(pass band)损耗提升及止带(stop band)抑制效果下降等问题,现行所使用的声表面波滤波器与体声波滤波器已不能再满足毫米波频段(Millimeter Wave,mmWave)的高频段通信技术的需求。因此,为了应5G时代的来临,现有的关于EMI防止的滤波器难以再继续采用现有的结构的滤波器来进行滤波作业。
发明内容
本发明的目的在于提供一种面向EMI滤波器的优化方法及EMI滤波器,解决现有技术中在射频链路的前端因为电磁、噪声等影响大且不能高效解决的问题。
本发明的目的通过以下述技术方案来实现,包括如下步骤:S1.选择电路基片,其中电路基片为微波级;S2.仿真模拟,在所选电路基片上基于二极管特性进行建模仿真实验;S3.一次选取实验,基于仿真结果,选择限幅器进行功率测试;S4.二次选取实验,在已经接入限幅器的电路上集成高通滤波器进行功率实验,其中高通滤波器采用椭圆函数型;S5.优化并联设计,对已经集成高通滤波器的限幅器进行并联设计,再次进行功率测试;S6.整合实验,根据优化并联设计实验结果,调整接入方式,再次进行功率测试;S7.循环,重复上述步骤S2-S6,直至完成优化。
需要说明的是,申请人采用上述步骤进行滤波器的优化设计,可以保证在对应5G时代的到来,可以有效解决在射频链路的前端的噪声,高效提高滤波器的滤波效果。
所述电路基片的介电常数为2.0-2.5且正切损耗角为0.0008-0.0010。
需要说明的是,本申请的介电常数设置为2.0-2.5,可以有效保证滤波器的驻波小于1.6。
所述S4具体为:选用若干滤波限幅器进行集成高通滤波器,所述滤波限幅器采用共晶到钨铜载板的方式进行制作组装。
需要说明的是,采用共晶到钨铜载板的方式进行制作组装,可以保证滤波器的装配组装效果。
所述S5具体为:将已经集成高通滤波器的限幅器进行并联设计,同时增加有效功率。
需要说明的是,采用并联设计可以保证滤波器的高效滤波作业,区别于现有技术的串联设计。
所述S6具体为:将并联后的滤波器全部采用共晶到钨铜载板的方式进行制作组装。
需要说明的是,全部进行共晶到钨铜载板的装配,可以全方便控制驻波大小以及抑制效果。
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