[发明专利]电磁辐射的发射和所发射的电磁辐射的特性控制

权利要求书

1.用于发射电磁辐射(20)的装置(10)，所述装置包括：

第一电极(12、24)；

第二电极(14、26)；和

从所述第一电极(12、24)延伸到所述第二电极(14、26)的激子复合层(16)；

其中所述装置(10)配置用于通过改变所述第一电极(12、24)和所述第二电极(14、26)之间的电场来重新定位所述激子复合层(16)中的复合区(18)。

2.根据权利要求1所述的装置(10)，其中所述装置(10)配置用于通过反转第一和第二电极(12、14)的极性来重新定位复合区(18)。

3.根据权利要求1或2所述的装置(10)，其中，如果重新定位的复合区(18)耦合到第一电极(12、24)，则所述第一电极(12、24)引起第一电磁辐射波谱(28b)，如果重新定位的复合区(18)耦合到第二电极(14、26)，则所述第二电极(14、26)引起第二电磁辐射波谱(28a)，其中所述第一电磁辐射波谱(28b)和所述第二电磁辐射波谱(28a)不同。

4.根据权利要求3所述的装置(10)，其中，如果重新定位的复合区(18)耦合到第一电极(12、24)，则所述第一电极(12、24)被配置为用作第一光学天线(24)，并且如果重新定位的复合区(18)耦合到第二电极(14、26)，则所述第二电极(14、26)被配置为用作第二光学天线(26)，其中所述第一光学天线(24)和所述第二光学天线(26)在形状和/或取向上不同。

5.根据权利要求4所述的装置(10)，其中，所述第一光学天线(24)和所述第二光学天线(26)在方向性和/或偏振方面不同。

6.根据权利要求4或5所述的装置(10)，其中，所述第一光学天线(24)的尺寸小于1μm，所述第二光学天线(26)的尺寸小于1μm。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的装置(10)，其中，激子复合层(16)的材料允许比电子迁移率更高的空穴迁移率，或者比空穴迁移率更高的电子迁移率。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的装置(10)，其中，电极(12、14、24、26)和激子复合层(16)之间的势垒允许比电子注入性更高的空穴注入性或比空穴注入性更高的电子注入性。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的装置(10)，其中，所述装置(10)被配置用于，基于所述第一电极(12、24)和所述第二电极(14、26)之间的电压差来控制电磁辐射(20)的径向强度分布。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的装置(10)，其中，所述装置还包括第三电极(34、36)；

其中所述装置(10)被配置用于，通过改变第一电极(12、24)、第二电极(14、26)和第三电极(34、36)之间的电场来重新定位激子复合层(16)中的复合区(18)。

11.根据权利要求1至10中任意一项所述的装置(10)，其中，所述装置还包括透明基板(10a)，其中所述第一和第二电极(14、26)形成在所述透明基板(10a)上。

12.根据权利要求11所述的装置(10)，其中，所述装置(10)是显示器或光学通信装置(10)。

13.用于发射电磁辐射的装置(10)，所述装置包括

透明基板；

形成在所述透明基板上的第一电极(12、24)；

形成在所述第一电极(12、24)上方的第二电极(14、26)；

以及所述第一电极(12、24)和所述第二电极(14、26)之间的激子复合层(16)，

其中所述装置(10)被配置用于透过所述透明基板(10a)发射电磁辐射(20)。