[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有第一区、第二区和第三区；

栅电极，在所述第一区和所述第二区中堆叠在所述衬底上并彼此间隔开，所述栅电极在第一方向上延伸以在所述第三区中具有台阶形状；

层间绝缘层，与所述栅电极交替地堆叠；

沟道结构，穿过所述第一区中的所述栅电极，所述沟道结构包括包含半导体材料的沟道层；

第一虚设结构，穿过所述第二区中的所述栅电极，所述第一虚设结构与所述第一区相邻设置，并分别包括包含半导体材料的虚设沟道层；

第二虚设结构，穿过所述第二区中的所述栅电极，所述第二虚设结构与所述第三区相邻设置，并具有与所述第一虚设结构不同的形状；以及

支撑结构，穿过所述第三区中的所述栅电极，

其中每个所述第二虚设结构的尺寸大于每个所述支撑结构的尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述第一虚设结构的尺寸大于每个所述沟道结构的尺寸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中每个所述第二虚设结构的所述尺寸大于每个所述第一虚设结构的所述尺寸。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述支撑结构的所述尺寸大于每个所述沟道结构的尺寸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设结构之间的最小分离距离比所述沟道结构之间的最小分离距离长。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述第二虚设结构在所述第一方向上的宽度小于每个所述第二虚设结构在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设结构当中的在垂直于所述第一方向的第二方向上的相邻第一虚设结构之间的距离比所述第一虚设结构当中的在第三方向上的相邻第一虚设结构之间的距离短，所述第三方向是所述第一方向和所述第二方向之间的对角线方向。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二虚设结构当中的在垂直于所述第一方向的第二方向上的相邻第二虚设结构之间的距离比所述第二虚设结构当中的在第三方向上的相邻第二虚设结构之间的距离短，所述第三方向是所述第一方向和所述第二方向之间的对角线方向。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述沟道结构包括距所述第一虚设结构具有最小分离距离的第一沟道结构和距所述第一沟道结构具有最小分离距离的第二沟道结构，

其中所述第一沟道结构的尺寸大于所述第二沟道结构的尺寸。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设结构和所述第二虚设结构当中的彼此相邻的第一虚设结构和第二虚设结构之间的距离比所述第二虚设结构和所述支撑结构当中的彼此相邻的第二虚设结构和支撑结构之间的距离短。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设结构当中的在所述第一方向上的一对相邻第一虚设结构之间的距离等于所述第一虚设结构当中的在垂直于所述第一方向的第二方向上的一对相邻第一虚设结构之间的距离。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述层间绝缘层包括下层间绝缘层、上层间绝缘层和中间层间绝缘层，所述中间层间绝缘层设置在所述下层间绝缘层和所述上层间绝缘层之间，并且所述中间层间绝缘层比每个所述下层间绝缘层和每个所述上层间绝缘层厚，

其中每个所述沟道结构和每个所述第一虚设结构由于与所述中间层间绝缘层相邻的区域中的宽度差异而包括弯曲部分，以及

每个所述第二虚设结构和每个所述支撑结构在与所述中间层间绝缘层相邻的区域中具有连续减小的宽度。