[发明专利]用于执行目标刷新操作的装置和方法

说明书

提供一种半导体存储器件及其操作方法。一种半导体存储器件包括：第一储存逻辑，其被配置成将在参考信号的使能时段期间施加的输入地址之中的具有不同值的“K”个地址储存作为第一地址；第二储存逻辑，其被配置成将输入地址之中的与参考信号的使能时段结束的时间点相对应的“L”个地址储存作为第二地址；顺序控制器，其被配置成基于第一地址中的每个第一地址被重复输入的次数来确定第一地址中的每个第一地址的第一输出顺序，并且确定用于输出混合地址的第二输出顺序，该混合地址是通过将基于第一输出顺序的第一地址与第二地址混合在一起而获得的；以及刷新操作逻辑，其被配置成将根据第二输出顺序的混合地址应用于目标刷新操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年12月14日提交的申请号为63/125,079的美国临时专利申请和2021年2月3日提交的申请号为10-2021-0015548的韩国专利申请的优先权，它们通过引用整体合并于此。

技术领域

本文中所描述的一个或更多个实施例涉及一种执行刷新操作的装置和方法。

背景技术

易失性存储器件将数据储存在多个存储单元中。每个存储单元可以包括用作开关的晶体管和用于对应于数据的逻辑值而储存电荷的电容器。理论上，使用电容器来储存数据不会耗电。然而，在实践中，晶体管可能会经历泄漏电流，这进而可能会对电容器中储存的电荷造成不利影响。如果足够严重，所储存的数据可能会丢失。

为了防止这个问题，可以在数据丢失之前读取储存在存储单元中的数据，并且可以执行再充电操作以尝试恢复与读取信息相对应的适当的电荷量。在这种情况下，只有周期性重复充电操作才可以保持数据储存。这种再充电操作可以被称为刷新操作，例如正常刷新操作。

除了正常的刷新操作之外，还可以对极有可能因行锤击现象而丢失数据的特定字线的存储单元执行额外的刷新操作(例如，目标刷新操作)。行锤击是指由于特定字线或者一个或更多个相邻字线的频繁激活而导致存储单元的数据受到不利影响的现象。为了防止行锤击，可以对被激活超过预定次数的特定字线或相邻字线执行目标刷新操作。

发明内容

本文中所描述的一个或更多个实施例提供了一种用于为目标刷新操作选择地址的装置和方法。

根据本发明的一实施例，一种半导体存储器件，可以包括：参考信号生成器，所述参考信号生成器被配置成生成具有使能时段的参考信号，其中所述使能时段的数目和每个使能时段的长度是基于操作时间而被随机确定的；第一储存逻辑，所述第一储存逻辑被配置成将在所述参考信号的所述使能时段期间施加的输入地址之中的具有不同值的最多“K”个地址储存作为第一地址；第二储存逻辑，所述第二储存逻辑被配置成将在所述参考信号的所述使能时段期间施加的所述输入地址之中的与所述参考信号的所述使能时段结束的时间点相对应的“L”个地址储存作为第二地址；顺序控制器，所述顺序控制器被配置成基于所述第一地址中的每个第一地址被重复输入的次数来确定所述第一地址中的每个第一地址的输出或不输出以及第一输出顺序，并且确定用于输出混合地址的第二输出顺序，所述混合地址是通过将基于所述第一输出顺序的所述第一地址与所述第二地址混合在一起而获得；以及刷新操作逻辑，所述刷新操作逻辑被配置成将由所述顺序控制器根据所述第二输出顺序输出的所述混合地址应用于目标刷新操作，其中，“K”是等于或大于2的自然数，并且“L”是等于或大于1的自然数。