[发明专利]用于执行目标刷新操作的装置和方法

说明书

一种存储器装置，包括：采样电路，通过使用不同算法设计的至少两个采样方法中的与第一选择信号对应的采样方法对输入地址进行采样；储存电路，存储从采样电路接收到的采样地址中的具有不同值的多达N个地址；排列电路：通过使用不同算法设计的至少两个排列方法中的与第二选择信号对应的排列方法确定储存电路中存储的地址的输出顺序，并且将根据输出顺序输出的地址设置为目标地址；选择控制电路：基于储存电路的状态设置第一选择信号和第二选择信号中的每一个；以及刷新操作电路，控制对与目标地址对应的存储单元行的目标刷新操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年12月14日提交的美国临时专利申请第63/125,089号和于2021年10月28日提交的韩国专利申请第10-2021-0145896号的优先权，其整体内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各个实施方式涉及半导体设计技术，并且具体地，涉及用于执行目标刷新的半导体存储器装置及其操作方法。

背景技术

用于存储数据的半导体存储器件可以粗略地分为易失性存储器件和非易失性存储器件。通过对单元电容器充电或放电来存储数据的诸如动态随机存取存储器(DRAM)的易失性存储器件在被施加电力时保持其中存储的数据，但在断电时丢失其中存储的数据。即使断电，非易失性存储器件可以在其中仍存储数据。易失性存储器件主要用作计算机等的主存储器，而非易失性存储器件用作大容量存储器，在诸如计算机和便携式通信设备的广泛的应用设备中存储程序和数据。

诸如DRAM的易失性存储器件的存储单元由用作开关的晶体管和用于存储电荷(数据)的电容器构成。“高”(逻辑1)和“低”(逻辑0)数据根据存储单元中的电容器中是否存在电荷来确定，即根据电容器的端电压是高还是低来确定。

由于数据以电荷累积在电容器中的形式存储，因此原则上不存在功耗。然而，由于晶体管的PN结等导致存在漏电流，因此电容器中存储的初始电荷量消失，使得可能丢失数据。为了基本上防止这样的问题，有必要在数据丢失之前读取存储单元中的数据，并且根据读取信息再充电正常的电荷量。只有周期性重复这样的操作才基本保持数据存储，并且这种单元电荷的再充电过程被称为刷新操作，以下称为正常刷新操作。

近来，除了正常刷新操作之外，对极有可能因行锤击现象而丢失数据的特定字线的存储单元执行额外的刷新操作，以下称为目标刷新操作。行锤击现象是指电连接到特定字线或相邻字线的存储单元的数据因特定字线被频繁激活而损坏的现象。为了基本上防止这种行锤击现象，对被激活预定次数或更多次的字线或相邻字线执行目标刷新操作。

发明内容

本公开的各种实施方式旨在提供用于为目标刷新操作选择地址的装置和方法。

根据本公开的实施方式，一种存储器装置可以包括：采样电路，适于通过使用不同算法设计的至少两个采样方法中的与第一选择信号的值对应的采样方法对输入地址进行采样；储存电路，适于存储从采样电路接收到的采样地址中的具有不同值的多达N个地址；排列电路，适于：通过使用不同算法设计的至少两个排列方法中的与第二选择信号的值对应的排列方法确定储存电路中存储的地址的输出顺序，以及将储存电路根据输出顺序输出的地址设置为目标地址；选择控制电路，适于：检查储存电路的状态，以及基于检查的结果设置第一选择信号和第二选择信号中的每一个的值；以及刷新操作电路，适于控制对与目标地址对应的存储单元行的目标刷新操作。N可以是等于或大于2的自然数。