[发明专利]用于半导体工艺的气体混合装置及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种用于半导体工艺的气体混合装置，其特征在于，包括：

一本体，具有一上游端及一下游端，且所述上游端与所述下游端之间依序包含：

一窄孔，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端；

一缓冲空间，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端，所述缓冲空间的上游端流体连接至所述窄孔的下游端，且所述缓冲空间的宽度大于所述窄孔的宽度；

及一分流板，具有一上表面及一下表面，所述分流板的上表面及下表面之间形成有多个分流孔，所述多个分流孔流体连接至所述缓冲空间的下游端，其中，所述分流板的上表面形成有一凹穴，且所述凹穴正对所述窄孔的下游端，藉此使通过所述窄孔的气流撞击所述凹穴的壁而形成湍流。

2.根据权利要求1所述气体混合装置，其特征在于，其中所述窄孔的上游端宽度大于所述窄孔下游端的宽度。

3.根据权利要求1所述气体混合装置，其特征在于，其中所述凹穴是由所述分流板上表面的一内凹曲面所形成。

4.根据权利要求1所述气体混合装置，其特征在于，其中所述窄孔的下游端的宽度小于所述凹穴的一最大宽度。

5.根据权利要求1所述气体混合装置，其特征在于，其中所述多个分流孔环绕所述凹穴。

6.根据权利要求1所述气体混合装置，其特征在于，其中所述本体包含一第一板及一第二板，所述第一板界定所述窄孔及所述缓冲空间，所述第二板界定所述多个分流孔及所述凹穴。

7.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：

一喷淋组件，用于供应一混合气体至一晶圆表面；

一气体混合管，流体连接至所述喷淋组件并供应所述混合气体；

及根据权利要求1所述的气体混合装置，流体连接至所述气体混合管，用于混合一第一气体和一第二气体。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，其中所述气体混合管的中心、所述窄孔的中心及所述凹穴的中心为共轴。

9.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，其中所述窄孔配置为接收所述气体混合管中的第一气体和第二气体，所述多个分流孔配置为将所述混合气体分流回所述气体混合管的下游端。

10.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，其中当气体混合发生时，所述凹穴配置为比起所述窄孔具有相对较高的雷诺准系数。

11.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，其中所述窄孔和所述凹穴的位置使气体混合主要发生在所述气体混合管的中心。