[发明专利]一种多格位近红外宽谱荧光材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种多格位近红外宽谱荧光材料，其特征在于，所述多格位近红外宽谱材荧光材料的化学式表示为：M¹_1-a/2M²_1-a/2Cr_aM³₂O₈；其中M¹选自Mg或Zn；M²选自Zr或Hf；M³选自Ta或Nb；0.0001≤a≤0.1。

2.根据权利要求1所述的多格位近红外宽谱荧光材料，其特征在于，所述M¹为Mg。

3.一种如权利要求1～2任一所述的多格位近红外宽谱荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.将M¹化合物、M²化合物、M³化合物和Cr化合物混合后研磨，混合均匀，得混合物；

S2.将步骤S1得到的混合物在空气中在1300～1450℃下焙烧，待焙烧后的产物冷却后进行破碎、研磨处理，即得多格位近红外宽谱荧光材料。

4.根据权利要求3所述的多格位近红外宽谱荧光材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中M¹化合物为氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁、草酸镁、硝酸镁、氧化锌、草酸锌或硝酸锌；所述M²化合物为氧化锆、硝酸锆、氧化铪或硝酸铪；所述M³化合物为氧化钽、氢氧化钽、氧化铌或氢氧化铌。

5.根据权利要求3所述的多格位近红外宽谱荧光材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中Cr化合物为氧化铬或硝酸铬。

6.根据权利要求3所述的多格位近红外宽谱荧光材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中所述焙烧的时间为4～48h。

7.根据权利要求1～2任意一项所述的多格位近红外宽谱荧光材料或权利要求3～6任意一项所述的多格位近红外宽谱荧光材料在制备光转换器件中的应用。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述光转换器件为宽光谱近红外LED器件。