[发明专利]梯桥型双极性固态断路器

权利要求书

1.一种梯桥型双极性固态断路器，其特征在于，包括两个并联的导向相反的单向通流梯桥臂，跨接在两个单向通流梯桥臂之间分别连接供电和充电的两个电源支路，两单向通流梯桥臂导通或关断控制两电源支路处于供电、充电、短路保护断开状态；每个单向导通梯桥臂依次包括串联的一个单向全控支路、与所述单向全控支路同向的两个单向支路，所述单向全控支路上并联吸收缓冲支路；一个单向通流梯桥臂中单向全控支路和单向支路串联连接点与另一个单向通流梯桥臂中2个单向支路串联连接点之间控制接入一个电源支路。

2.根据权利要求1所述梯桥型双极性固态断路器，其特征在于，所述单向全控支路为单向导通的全控电路或开关管。

3.根据权利要求2所述梯桥型双极性固态断路器，其特征在于，所述单向全控支路为可单向导通的半导体器件或半导体器件串并联而成的可单向导通支路；所述半导体器件包括全控型器件IGBT、Mosfet、GTO、IGCT其中一种，或可单向全控导通或断开的电路支路。

4.根据权利要求2或3所述梯桥型双极性固态断路器，其特征在于，所述吸收缓冲支路由MOV型避雷器与RC缓冲电路、Snubber电容、RCD缓冲电路其中的一种或者多种的并联构成，用于抑制单向全控支路的关断过程中带来的电压峰值以及续流缓冲线路电感的残余能量。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述梯桥型双极性固态断路器，其特征在于，所述单向支路为可单向导通的半导体器件或半导体器件串并联而成可单向导通的支路，所述的半导体器件包括不控型器件二极管、半控型器件晶闸管、全控型器件IGBT、Mosfet、GTO、IGCT其中一种。

6.根据权利要求5所述梯桥型双极性固态断路器，其特征在于，所述两电源支路为同向的直流电源或同频同相的交流电源。