[发明专利]一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用

说明书

本发明涉及一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用，属于真菌育种技术领域。其在富硒地区采集灵芝菌子实体，获得菌丝体培养物，收集其孢子后进行诱变育种，在高硒浓度培养基中进行富集培养，获得耐硒能力提高的灵芝菌丝体。所获得的耐硒能力提高的灵芝突变体命名为Ganoderma sp.ML2613，该突变体的菌丝体培养物已保藏在中国典型培养物保藏中心，保藏编号CCTCC NO：M20211217。与原菌株菌丝体培养物相比，突变体Ganoderma sp.ML2613可以在硒含量为1600mg/L的培养液中维持正常生长，而原菌株的菌丝体在同样的发酵培养液中生长极其缓慢。突变体Ganoderma sp.ML2613更适合在高硒含量环境中培养，具有获得富硒菌丝体的潜力，也有利于在高硒环境中进行灵芝的野外栽培。

技术领域

本发明涉及一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用，具体涉及一种采用诱变育种方法获得的在高硒浓度条件能维持较高生长速度的灵芝突变体及应用，属于真菌育种技术领域。

背景技术

灵芝(Ganoderma lucidum)，是一类在自然界中主要在木质材料或树木上腐生或寄生生长的大型子实体真菌，属担子菌门。灵芝以及与灵芝同一属(灵芝属，Ganoderma)的紫芝、树舌等真菌在我国传统医学中大多属于有保健或治疗功能的药用或食用真菌。

硒是人体多种含硒活性蛋白的组成成分，硒元素在地表含量少，人体从正常食物中得到的硒有时不能完全满足人体的需求，富硒食品是帮助人们“补硒”的重要途径。灵芝有较强的富硒能力，多年来我国科技工作者对采用灵芝富硒进行了较多的研究。我国湖北省利川市、安徽省石台县等地有一些土壤中硒含量较高的小区域，这些小区域中生长的灵芝可能具有较高的耐硒和富硒能力。

发明内容

本发明的目的是克服上述不足之处，提供一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用，该灵芝菌株耐硒能力较高，能够在高硒浓度环境下有较高生长速度。

本发明的技术方案，一株高耐硒灵芝突变体菌株ML2613，已保藏于中国典型培养物保藏中心CCTCC，地址中国武汉武汉大学，分类命名为灵芝ML2613Ganoderma sp.ML2613，保藏编号CCTCC NO：M 20211217，保藏日期为2021年9月26日。

所述高耐硒灵芝突变体菌株ML2613，ITS序列如SEQ ID No.1所示。

所述高耐硒灵芝突变体菌株ML2613的制备方法，采用富硒地区的灵芝进行菌丝体分离培养，筛选出其中耐硒灵芝菌，继续进行培养后收集孢子粉，对孢子粉进行诱变，经过培养获得菌丝体菌落，选取生长速度最快的菌株，最终获得高耐硒灵芝突变体菌株ML2613。

进一步地，所述诱变方法具体为Co⁶⁰照射。

进一步地，照射剂量控制在0.4-0.6kGy。

进一步地，将诱变获得的孢子粉的生理盐水悬液转入高硒含量的PDA液体培养基中进行培养6-8d。

进一步地，所述高硒含量具体为硒含量为1800mg/L。

所述菌株的应用，将其应用于高硒环境中进行灵芝的栽培。

进一步地，提高获得富硒菌丝体的效率。

进一步地，在硒含量1600mg/L的环境下生长速度快。

本发明的有益效果：本发明筛选获得的菌株与原菌株菌丝体培养物相比，突变体Ganoderma sp.ML2613可以在硒含量为1600mg/L的培养液中维持正常生长，而原菌株的菌丝体在同样的发酵培养液中生长极其缓慢。突变体Ganoderma sp.ML2613更适合在高硒含量环境中培养，具有获得富硒菌丝体的潜力，也有利于在高硒环境中进行灵芝的野外栽培。