[发明专利]可重构肖特基二极管在审
| 申请号： | 202111525672.0 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114141884A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张增星;盛喆;余睿 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可重构肖特基 二极管 | ||
1.一种可重构肖特基二极管，其特征在于，包括：
栅电极层；
栅介质层，设置于所述栅电极层的一面；
沟道层，为双极性半导体，设置于所述栅介质层背向所述栅电极层的一面；
源电极，设置于所述沟道层背向所述栅介质层的一面，且与所述沟道层之间为肖特基接触；以及
漏电极，设置于所述沟道层背向所述栅介质层的一面，且与所述沟道层之间为欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的可重构肖特基二极管，其特征在于，所述栅电极层的材料为掺杂导电材料。
3.根据权利要求2所述的可重构肖特基二极管，其特征在于，所述栅电极层的材料为掺杂P型硅。
4.根据权利要求1所述的可重构肖特基二极管，其特征在于，所述栅介质层的材料为硅氧化物、铪氧化物、铝氧化物中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的可重构肖特基二极管，其特征在于，所述硅氧化物为二氧化硅，所述铪氧化物为二氧化铪，所述铝氧化物为氧化铝。
6.根据权利要求1所述的可重构肖特基二极管，其特征在于，所述源电极的材料为导电材料。
7.根据权利要求6所述的可重构肖特基二极管，其特征在于，所述源电极的材料为石墨烯。
8.根据权利要求1所述的可重构肖特基二极管，其特征在于，所述漏电极的材料为金属导电材料。
9.根据权利要求8所述的可重构肖特基二极管，其特征在于，所述漏电极的材料为铬。
10.根据权利要求1所述的可重构肖特基二极管，其特征在于，所述沟道层的材料为二维晶体黑磷或二硒化钨。
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