[发明专利]一种基于缺陷诱导的空间选择性析晶的微晶玻璃的制备方法

权利要求书

1.一种基于缺陷诱导的空间选择性析晶的微晶玻璃的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将内部有缺陷的母体玻璃进行热处理，获得空间选择性析晶的微晶玻璃；所述热处理的温度为母体玻璃的析晶温度；

所述内部有缺陷的母体玻璃是将表面易析晶内部难析晶且为非量子点析晶的母体玻璃的内部制备出缺陷得到；

所述的空间选择性析晶为析出的微晶沿着缺陷表面的法线方向生长，且晶体取向为晶体生长速率最快的晶向；

所述表面易析晶内部难析晶且为非量子点析晶的母体玻璃为以下五种母体玻璃中一种以上，这五种母体玻璃分别记为母体玻璃A、母体玻璃B、母体玻璃C、母体玻璃D、母体玻璃E；

所述母体玻璃A中各组分的摩尔比为：

SrO：30-45%

TiO₂：15-25%

其余为SiO₂；

所述母体玻璃B中各组分的摩尔比为：

BaO：30-45%

TiO₂：15-25%

其余为SiO₂；

所述母体玻璃C中各组分的摩尔比为：

BaO：30-45%

TiO₂：15-25%

其余为GeO₂；

所述母体玻璃D中各组分的摩尔比为：

La₂O₃：20-30%

B₂O₃：20-30%

其余为GeO₂；

所述母体玻璃E中各组分的摩尔比为：

BaO：40-48%

TiO₂：4-20%

其余为B₂O₃；

母体玻璃为母体玻璃A时，热处理的温度：820-860℃；

母体玻璃为母体玻璃B时，热处理的温度：790-820℃

母体玻璃为母体玻璃C时，热处理的温度：660-730℃

母体玻璃为母体玻璃D时，热处理的温度：740-760℃

母体玻璃为母体玻璃E时，热处理的温度：620-640℃；

所述热处理的时间为0.5~2h；

所述缺陷为孔洞缺陷；所述缺陷是将激光聚焦到母体玻璃的内部制备出所需的孔洞缺陷；

所述激光为超短脉冲激光，激光制备孔洞缺陷时的条件：脉冲宽度为80fs-10ns，重复频率1kHz-250kHz，单点照射时间为1-100 ms；

所述孔洞缺陷能设计成所需的形状，包括点阵结构的孔洞缺陷，线阵结构的孔洞缺陷，圆形空洞缺陷；

热处理完成后，冷却，抛光表面去除表面析晶层，获得空间选择性析晶的微晶玻璃。

2.一种由权利要求1所述制备方法得到的基于缺陷诱导的空间选择性析晶的微晶玻璃。

3.根据权利要求2所述基于缺陷诱导的空间选择性析晶的微晶玻璃的应用，其特征在于：所述基于缺陷诱导的空间选择性析晶的微晶玻璃用于光子学领域，包括二次谐波发射、光涡旋的产生领域。