[发明专利]一种电吸收调制器在审
申请号: | 202111527531.2 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114035347A | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 胡晓;张宇光;陈代高;肖希;王磊;刘敏;刘佳;张红广;徐路 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | G02F1/015 | 分类号: | G02F1/015;G02F1/025 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐雯;蒋雅洁 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸收 调制器 | ||
1.一种电吸收调制器,其特征在于,所述电吸收调制器用于对连续光进行调制并输出调制后的光信号,所述电吸收调制器包括:
硅层,所述硅层包括第一掺杂类型的掺杂区;
与所述硅层接触的第一光吸收层和第二光吸收层,所述第一光吸收层和所述第二光吸收层均包括第二掺杂类型的掺杂区;
光波导,所述光波导包括位于所述第一光吸收层和所述第二光吸收层之间的第一光波导区,所述第一光波导区沿所述第一光吸收层指向所述第二光吸收层方向上的宽度沿所述连续光的传输方向增大;
其中,所述光波导用于传输所述连续光,并将所述连续光分别耦合至所述第一光吸收层和所述第二光吸收层,所述第一光吸收层和所述第二光吸收层用于对所述连续光进行调制。
2.如权利要求1所述的电吸收调制器,其特征在于,所述电吸收调制器还包括:
第一传输波导,所述第一传输波导与所述第一光吸收层相连接,用于传输所述第一光吸收层输出的所述连续光;
第二传输波导,所述第二传输波导与所述第二光吸收层相连接,用于传输所述第二光吸收层输出的所述连续光。
3.如权利要求2所述的电吸收调制器,其特征在于,所述光波导还包括第二光波导区,所述第二光波导区位于所述第一传输波导和所述第二传输波导之间,且所述第二光波导区与所述第一光波导区相连接。
4.如权利要求3所述的电吸收调制器,其特征在于,所述第二光波导区沿所述第一传输波导指向所述第二传输波导方向上的宽度不变。
5.如权利要求2所述的电吸收调制器,其特征在于,所述电吸收调制器还包括:
光合束器,所述光合束器与所述第一传输波导、所述光波导和所述第二传输波导相连接,用于将所述第一传输波导、所述光波导和所述第二传输波导输出的所述连续光耦合后输出。
6.如权利要求2所述的电吸收调制器,其特征在于,所述第一光吸收层的上表面高于所述第一传输波导的上表面;所述第二光吸收层的上表面高于所述第二传输波导的上表面。
7.如权利要求1所述的电吸收调制器,其特征在于,所述电吸收调制器还包括:
所述第一掺杂类型的掺杂区上设有第一金属电极;
所述第一光吸收层和所述第二光吸收层的第二掺杂类型的掺杂区上均设有第二金属电极。
8.如权利要求1所述的电吸收调制器,其特征在于,所述第一光吸收层和所述第二光吸收层沿所述第一光波导区呈对称设置。
9.如权利要求1所述的电吸收调制器,其特征在于,
所述第一光吸收层的材料包括锗、硅锗合金和三五族材料;和/或
所述第二光吸收层的材料包括锗、硅锗合金和三五族材料。
10.如权利要求1所述的电吸收调制器,其特征在于,所述光波导的延伸方向平行于所述硅层和所述第一光吸收层、所述第二光吸收层的接触平面,所述光波导与所述第一光吸收层之间的距离为150nm~800nm,所述光波导与所述第二光吸收层之间的距离为150nm~800nm。
11.如权利要求1所述的电吸收调制器,其特征在于,所述光波导包括本征硅波导。
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