[发明专利]基于NbSe2-金属多层结构的电控偏振调制器

权利要求书

1.一种基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上的NbSe₂薄膜层、设置于所述NbSe₂薄膜层上端面的第一电极对以及设置于所述衬底下端面的第二电极对；

所述NbSe₂薄膜层由多层NbSe₂薄膜层叠组成；

所述第一电极对由第一电极及第二电极组成，所述第一电极与所述第二电极相对的位置处、所述第二电极与所述第一电极相对的位置处均向内凹陷，以形成金属环形电极；所述第二电极对由第三电极及第四电极组成，所述第三电极与所述第四电极相对的位置处、所述第四电极与所述第三电极相对的位置处均向内凹陷，以形成金属环形电极；

所述第一电极对及所述第二电极对上施加电压进行电控，以对电磁波进行主动调制。

2.根据权利要求1所述的基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述NbSe₂薄膜层所包含薄膜的层数为5-9。

3.根据权利要求2所述的基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述NbSe₂薄膜层的厚度为12-50nm。

4.根据权利要求2所述的基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述NbSe₂薄膜层采用液相剥离、机械剥离或化学气相沉积法制备得到。

5.根据权利要求2所述的基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述第一电极对及所述第二电极对的厚度均为120-400μm。

6.根据权利要求5所述的基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述第四电极均包含向内侧凹陷的半圆结构，所述半圆结构的直径为1.2-4mm。

7.根据权利要求6所述的基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述第一电极对及所述第二电极对均采用磁控溅射技术或真空蒸镀技术制备得到。

8.根据权利要求6所述的基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述衬底为氧化铟锡衬底，所述氧化铟锡衬底的厚度为12-50nm。

9.根据权利要求6所述的基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述衬底为半导体元素衬底，所述半导体元素衬底的厚度为30-80μm。

10.根据权利要求9所述的基于NbSe₂-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述半导体元素衬底为硅衬底或锗衬底。