[发明专利]一种mini LED芯片的分选方法及显示屏在审
申请号: | 202111528234.X | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114242747A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 李文涛;邹燕玲;简弘安;张星星;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/67;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊明 |
地址: | 330224 江西省南昌市南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mini led 芯片 分选 方法 显示屏 | ||
本申请提供一种mini LED芯片的分选方法及显示屏,该分选方法包括:提供N个晶圆;从每个所述晶圆中选取M颗LED芯片;将每个所述晶圆上的M颗LED芯片呈阵列结构排列在Bin片上,所述Bin片上任一区域内连续来自同一个所述晶圆的LED芯片不超过五颗。本申请的mini LED芯片的分选方法能够解决分选mini LED芯片在封装成显示屏后出现色度不统一的马赛克显示效果的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种mini LED芯片的分选方法及显示屏。
背景技术
随着小间距显示的崛起,mini LED(发光二极管)直接显示以其色彩丰富、节能、寿命长、轻巧等优点拿下了极大的市场份额,mini LED芯片也逐渐步入量产阶段,当然,也伴随着一系列的问题,其中在COB(Chip On Board)显示方案中出现的色度不统一的马赛克显示问题较为严重。
传统的mini LED芯片分选方式,分选好的Bin片(蓝膜)上的芯片大多来自2张或者3张Wafer,将mini LED芯片封装成显示屏之后会出现某一区域内连续的上万颗芯片均来自同一张Wafer(晶圆)的情况,由于来自同一张Wafer的芯片光学及电性能较为集中,且与来自其它Wafer的芯片光电性能差异较大,故在显示屏通电显示后会出现色度不统一的马赛克显示效果。
现有的解决方法是通过电流补偿的方式改善这种马赛克显示效果,但是可以进行电流补偿的电路板价格昂贵,使得成本增加,其次,若芯片间电流不统一,长时间使用后会出现光衰不一的情况,加剧了色度不统一的情况出现,陷入恶性循环。
发明内容
本申请实施例提供一种mini LED芯片的分选方法及显示屏,以解决现有分选miniLED芯片在封装成显示屏后出现色度不统一的马赛克显示效果的问题。
本申请实施例提供的mini LED芯片的分选方法,包括:
提供N个晶圆;
从每个所述晶圆中选取M颗LED芯片;
将每个所述晶圆上的M颗LED芯片呈阵列结构排列在Bin片上,所述Bin片上任一区域内连续来自同一个所述晶圆的LED芯片不超过五颗。
可选地,所述将每个所述晶圆上的M颗LED芯片呈阵列结构排列在Bin片上的步骤,包括:
将一个所述晶圆上的M颗LED芯片呈阵列结构排列在第一Bin片上;其中,在行方向间隔A颗排列,在列方向间隔B颗排列,A×B=N,且1/10≤A/B≤10;
将剩余所述晶圆上的M颗LED芯片呈阵列结构依次排列在每个所述行方向和列方向的间隔中。
可选地,所述将每个所述晶圆上的M颗LED芯片呈阵列结构排列在Bin片上的步骤,包括:
将每个所述晶圆上的M颗LED芯片呈阵列结构排列在第二Bin片上,且不同所述晶圆上的LED芯片形成的多个所述阵列结构沿所述第二Bin片的行方向依次排列;所述阵列结构中沿所述行方向依次排列X颗LED芯片,沿列方向依次排列Y颗LED芯片,其中X×Y=M,且X≤5;
将不同所述阵列结构中的每组LED芯片重新排列在第三Bin片上,且任一相邻两组所述LED芯片均来自不同的所述晶圆;其中,每个所述阵列结构中的沿所述行方向依次排列的X颗LED芯片为一组。
可选地,所述将不同所述阵列结构中的每组LED芯片重新排列在第三Bin片上的步骤,包括:
在所述行方向排列C组所述LED芯片,所述列方向排列D组所述LED芯片;其中C×D=N,C与D均为不小于二的整数。
可选地,所述从每个所述晶圆中选取M颗LED芯片的步骤之前,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的