[发明专利]多芯片封装结构在审
| 申请号： | 202111531351.1 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN116153874A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘译淇 | 申请（专利权）人： | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 | ||
1.一种多芯片封装结构，其特征在于，包括：
第一半导体芯片，为倒晶配置且包括第一金氧半导体组件，具有第一表面与相对于所述第一表面的第二表面，所述第一表面具有第一电极，所述第二表面具有第二电极与第三电极，其中所述第一表面上具有一背金属层，电连接所述第一电极；
第二半导体芯片，包括第二金氧半导体组件，且具有第三表面，所述第三表面具有第四电极；
导电件，配置于所述背金属层上，电连接所述背金属层与所述第四电极，其中部分的所述背金属层不被所述导电件覆盖从而形成多个暴露部；
绝缘接合层，设置于至少部分的所述暴露部上；以及
封装材料，覆盖所述绝缘接合层及至少部分的所述导电件。
2.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述封装材料更覆盖部分的所述多个暴露部。
3.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述多个暴露部位于所述第一半导体芯片的角落。
4.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘接合层接触所述背金属层及所述封装材料。
5.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括：
焊接层，设置于所述导电件与所述背金属层之间，且连接所述导电件与所述背金属层。
6.根据权利要求5所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述焊接层延伸到至少部分的所述多个暴露部上，并接触所述绝缘接合层。
7.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘接合层设置于所述导电件上，并暴露部分的所述导电件。
8.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘接合层设置于所述导电件上，并完全覆盖所述导电件。
9.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘接合层的杨氏模量小于所述封装材料的杨氏模量。
10.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘接合层的热膨胀系数介于所述封装材料的热膨胀系数与所述导电件的热膨胀系数之间。
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