[发明专利]OLED显示面板及电子设备在审
申请号: | 202111531928.9 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114267707A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 王文清 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 电子设备 | ||
本申请公开了一种OLED显示面板及电子设备。所述OLED显示面板具有弯折区和位于所述弯折区一侧的非弯折区,所述OLED显示面板中开设有开孔,所述开孔位于所述弯折区;所述OLED显示面板包括基底和薄膜晶体管层;薄膜晶体管层设置在所述基底的一侧,所述薄膜晶体管层包括绝缘层,所述绝缘层自所述非弯折区延伸至所述弯折区;其中,所述开孔包括第一子开孔,所述第一子开孔位于所述绝缘层中,所述绝缘层的顶面和所述第一子开孔的孔壁形成第一台阶结构。本申请降低了TFT器件层内金属导线的腐蚀风险。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种OLED显示面板及电子设备。
背景技术
随着曲面屏手机在消费者中越来越受欢迎,对曲面显示屏的弯曲性能要求更高。曲面显示屏四个角落的弯曲处受拉应力较大,通常需要对上述四个角落的弯曲处进行开孔设计,以提高曲面显示屏的拉伸性。然而,由于开孔的孔壁通常为竖直型,在曲面显示屏的弯曲过程中,相邻膜层之间应力较大,开孔侧壁处容易产生裂纹,当外界水汽沿着开孔侧壁入侵至薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)器件层时,增大了裂纹向TFT器件层扩展的几率,进而增大了水汽进入TFT器件内的几率,由此会增加TFT器件层内金属导线的腐蚀风险。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED显示面板及电子设备,以降低TFT器件层内金属导线的腐蚀风险。
本申请实施例提供一种OLED显示面板,其具有弯折区和位于所述弯折区一侧的非弯折区,所述OLED显示面板中开设有开孔,所述开孔位于所述弯折区,所述OLED显示面板包括:
基底;和
薄膜晶体管层,设置在所述基底的一侧,所述薄膜晶体管层包括绝缘层,所述绝缘层自所述非弯折区延伸至所述弯折区;
其中,所述开孔包括第一子开孔,所述第一子开孔位于所述绝缘层中,所述绝缘层的顶面和所述第一子开孔的孔壁形成第一台阶结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述绝缘层包括栅极绝缘层和层间介质层,所述栅极绝缘层位于所述层间介质层靠近所述基底的一侧,所述第一子开孔贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层;
所述第一子开孔包括第一孔和第二孔,所述第一孔位于所述栅极绝缘层中,所述第二孔位于所述层间介质层中,所述层间介质层靠近所述第二孔的顶面、所述第二孔的孔壁、所述栅极绝缘层靠近所述第一孔的顶面以及所述第一孔的孔壁形成所述第一台阶结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述OLED显示面板还包括缓冲层,所述缓冲层设置在所述基底和所述薄膜晶体管层之间,所述缓冲层自所述非弯折区延伸至所述弯折区;
所述开孔还包括连通于所述第一子开孔的第二子开孔,所述第二子开孔位于所述缓冲层中,所述第一台阶结构的表面、所述缓冲层靠近所述第二子开孔的顶面以及所述第二子开孔的孔壁形成第二台阶结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述OLED显示面板还包括第一有机层、第二有机层以及无机层,所述第二有机层位于所述第一有机层和所述无机层之间,所述第一有机层位于所述第二有机层靠近所述薄膜晶体管层的一侧;
所述开孔还包括连通于所述第一子开孔的第三子开孔,所述第三子开孔贯穿所述无机层、所述第二有机层以及所述第一有机层,并裸露出所述层间介质层的顶面。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述OLED显示面板还包括第一有机层,所述第一有机层覆盖所述第二台阶结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一有机层设置在所述薄膜晶体管层远离所述基底的一侧,并自所述非弯折区延伸至所述弯折区;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的