[发明专利]一种像素电荷转移效率测试结构与时序在审
| 申请号： | 202111534022.2 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114222079A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 龚雨琛;陈杰;旷章曲;陈多金;王菁;董建新;高峰 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/355 | 分类号： | H04N5/355;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 像素 电荷 转移 效率 测试 结构 时序 | ||
1.一种像素电荷转移效率测试结构，其特征在于，像素在p型衬底(100)的基础上，用N型离子注入形成PPD(101)感光区域，用于减小暗电流噪声的p+掺杂(104)位于PPD表面；
N型掺杂的浮置扩散节点FD(105)和存储节点SD(103)分别位于一个P阱(102)中，两个P阱(102)分置PPD(101)两侧。
2.根据权利要求1所述的像素电荷转移效率测试结构，其特征在于：
第一传输栅(107)栅极接TG1信号，源极为PPD，漏极为FD节点；
第二传输栅(108)栅极接TG2信号，源极为PPD；
第二传输栅(108)堆叠在第三传输栅(109)上方，两个栅极的多晶硅结构之间由氧化层(106)间隔离开。
3.根据权利要求2所述的像素电荷转移效率测试结构，其特征在于：
第一复位晶体管(110)栅极接RST1信号，源极接FD节点、源极跟随器(113)栅极与第二选通管(114)漏极，漏极接VDD信号；
第二复位晶体管(111)栅极接RST2信号，源极接SD节点与第二选通管(114)源极，漏极接VDD信号。
4.根据权利要求3所述的像素电荷转移效率测试结构，其特征在于：
第二选通管(114)栅极接SEL2信号；
源极跟随器(113)源极接第一选通管(112)源极，漏极接VDD信号；
第一选通管(112)栅极接SEL1信号，漏极接列读出总线。
5.根据权利要求4所述的像素电荷转移效率测试结构，其特征在于，第二传输栅(108)与PPD(101)的交叠大于第一传输栅(107)与PPD(101)的交叠程度，第三传输栅(109)与SD节点(103)的交叠程度大于第一传输栅(107)与FD节点(105)的交叠程度。
6.一种权利要求1至5任一项所述的像素电荷转移效率测试结构的驱动时序，其特征在于，包括复位、曝光和读出三个阶段：
在复位阶段，TG1升高至2.8V，RST1置于2.8V，TG2、TG3以-1.5V电压关断，其余管子0V关断，对FD节点、PPD区域进行复位；
曝光阶段开始之后，第一选通管开启，待第一复位管关断后采样复位信号Vrst1；
读出阶段：
第一传输栅导通，将PPD内信号转移至FD节点内，采样光电子信号Vsig1；
第一传输栅关断后，第二选通管开启，第二复位管开启，对FD与SD节点进行复位，第二复位管关断后，采样复位信号Vrst2；
下一阶段，第二传输栅以2.5V开启，之后第三传输栅以2.8V开启，将PPD内残余的电荷转移至SD与FD组成的节点，第二传输栅先于第三传输栅关断；
在两个传输栅关断后，采样光电子信号Vsig2。
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