[发明专利]一种钙钛矿半导体纳米材料的制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111534828.1 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN115367800A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王晶 | 申请（专利权）人： | 上海旦芯悦灵脑智能科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G39/00 | 分类号： | C01G39/00 |
| 代理公司： | 上海政济知识产权代理事务所(普通合伙) 31479 | 代理人： | 郑金彩 |
| 地址： | 200433 上海市杨浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 半导体 纳米 材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种钙钛矿半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：将反应物Li2CO3、Nb2O5和MoO3按1-10:1-10:1-10的摩尔比磨碎，充分混合，然后在空气中煅烧24-120h；
步骤S2：煅烧后，将得到的粉末1-10g与50-500mL的1-8mol/L的酸缓慢搅拌，在此期间每天更新酸；
步骤S3：然后用蒸馏水彻底清洗粉末，并在20-80℃下干燥，将1-10g经酸化后的粉末分散在50-500mL含等摩尔碱的水溶液中，将碱溶液在室温下振荡，制备寡层二维钙钛矿半导纳米片，然后用蒸馏水洗涤三次，离心收集。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，煅烧温度为400-1000℃。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，搅拌天数为5-15天。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，酸为HCl、H2SO4和HNO3中的一种。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，碱为氨水、NaOH、KOH和四丁基氯化铵中的一种。
6.根据权利要求5所述的钙钛矿半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，振荡天数为10-30天。
7.一种根据权利要求1-6任一所述制备方法制备的钙钛矿半导体纳米材料在柔性可穿戴多功能传感器中的应用。
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