[发明专利]半导体封装结构在审
申请号: | 202111534939.2 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN114267660A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 郑宏祥 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/528;H01L23/31 |
代理公司: | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人: | 唐华东 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构,包括:
第一线路结构,包括信号线路;
第二线路结构,包括电源/接地线路,所述第二线路结构设于所述第一线路结构上,所述第二线路结构包括重布线层;
电子组件,设于所述第二线路结构上。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中,所述第一线路结构的线路密度大于所述第二线路结构的线路密度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中,所述第二线路结构的厚度小于所述第一线路结构的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中,所述第二线路结构的线宽大于所述第二线路结构的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中,所述第二线路结构中部分线路的线宽大于等于所述第一线路结构的线宽。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构,其中,所述第二线路结构包括芯片键合区,所述第二线路结构中位于所述芯片键合区外线路的线宽大于第一线路结构的线宽。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其中,所述芯片键合区外线路为所述电源/接地线路。
8.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其中,所述第二线路结构的一个线路具有不同尺寸的线宽,所述第二线路结构的一个线路中越靠近所述芯片键合区的线宽越小。
9.根据权利要求2或7所述的半导体封装结构,其中,所述电源/接地线路呈电源/接地平面。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中,所述第一线路结构与所述第二线路结构之间的电连接路径是沿竖直方向。
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构,其中,所述第一线路结构通过导通孔电连接至所述第二线路结构。
12.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中,所述电子组件包括有源元件和无源元件。
13.根据权利要求12所述的半导体封装结构,其中,所述无源元件为电容器。
14.根据权利要求1所述的半导体封装结构,还包括:
模封层,设于所述第二线路结构上且包覆所述电子组件。
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