[发明专利]电容器接线装置在审

专利信息
申请号: 202111535187.1 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN114038686A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 梁德新;向啟平;孔令伟;李辉 申请(专利权)人: 惠州市忠邦电源有限公司
主分类号: H01G4/38 分类号: H01G4/38;H01G4/228;H01G2/06;H01R12/71
代理公司: 惠州知侬专利代理事务所(普通合伙) 44694 代理人: 罗佳龙
地址: 516000 广东省惠*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电容器 接线 装置
【说明书】:

本申请提供一种电容器接线装置。上述的电容器接线装置包括线板组件以及电容组件;线板组件包括两个相对设置第一线路板以及第二线路板,第一线路板以及第二线路板内均具有多条导电线路;电容组件包括第一无极电容、第二无极电容、第三无极电容以及第一桥式导电件,第一无极电容的第一端与第二无极电容的第一端电连接,第二无极电容的第二端与第三无极电容的第二端电连接;第一桥式导电件的第一端与第三无极电容的第一端连接,第一桥式导电件的第二端与第一无极电容的第二端连接。各无极电容之间通过线路板上的导电线路进行连接,无需通过电线进行相互穿插连接。

技术领域

发明涉及接线器技术领域,特别是涉及一种电容器接线装置。

背景技术

当前,在工业高频整流电源行业中,由于使用的输入为高频交流电,为了能够提供稳定的直流电,通常需要经过整流电路以及滤波电路,其中,滤波电路通常采用容量较大的电容,以满足对外部高电压的耐压,而整流电路通常采用整流桥电路,例如,采用绝缘栅双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)或者金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)形成全桥整流电路。

然而,滤波电路和全桥整流电路自身的连接点以及两个电路之间的连接点较多,需要使用多根电线进行穿插连接,多导线的相互穿插连接方式,存在以下缺陷:一是,因连接点和连接电线众多,整体结构凌乱而且复杂;二是,由于连线多、接点多,连接的时候剥线、焊接线耳套收缩管字码管的工作量大,直接导致劳动成本升高。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足之处,提供一种结构简单且拆装方便的电容器接线装置。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:

一种电容器接线装置,包括:线板组件以及电容组件;所述线板组件包括两个相对设置第一线路板以及第二线路板,所述第一线路板以及所述第二线路板内均具有多条导电线路;所述电容组件包括第一无极电容、第二无极电容、第三无极电容以及第一桥式导电件,所述第一无极电容、所述第二无极电容以及所述第三无极电容位于所述第一线路板与所述第二线路板之间,所述第一无极电容、所述第二无极电容以及所述第三无极电容分别与所述第一线路板以及所述第二线路板连接,以使所述第一无极电容的第一端与所述第二无极电容的第一端电连接,所述第二无极电容的第二端与第三无极电容的第二端电连接,所述第一无极电容的两端分别用于与外部交流电源连接;所述第一桥式导电件的第一端与所述第三无极电容的第一端连接,所述第一桥式导电件的第二端与所述第一无极电容的第二端连接。

在其中一个实施例中,所述线板组件还包括第一分压电阻以及第二分压电阻,所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻均焊接于所述第一线路板上,以使所述第一分压电阻的第一端与所述第三无极电容的第一端电连接,所述第一分压电阻的第二端与所述第二分压电阻的第一端连接,所述第二分压电阻的第二端与所述第二无极电容的第一端电连接。

在其中一个实施例中,所述第二无极电容的容值与所述第三无极电容的容值相等,所述第一分压电阻的阻值与第二分压电阻的阻值相等,所述第一分压电阻的第二端用于输出中点电压。

在其中一个实施例中,所述线板组件还包括第二桥式导电件,所述第二桥式导电件的第一端与所述第一分压电阻的第二端电连接,所述第二桥式导电件的第二端与所述第二线路板连接,所述第二桥式导电件用于输出检测电压。

在其中一个实施例中,所述第一线路板开设有第一桥式通孔,所述第二线路板开设有第二桥式通孔,所述第二桥式导电件的第一端穿设于所述第一桥式通孔内,所述第二桥式导电件的第二端穿设于所述第二桥式通孔内。

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