[发明专利]一种包含光学微腔结构的钙钛矿太阳能电池

权利要求书

1.一种包括光学微腔结构的钙钛矿太阳能电池，包括依次叠加设置的基片、不连续金属银薄膜层、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和致密金属银薄膜层。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述不连续金属银薄膜层的厚度为2～10nm，所述致密金属银薄膜层的厚度为50～200nm。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述基片选自硬质基底或柔性基底；所述空穴传输层选自NiO_x、PEDOT:PSS或聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]；所述电子传输层选自TiO₂、SnO₂、PCBM、C₆₀和BCP中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池的制备方法包括以下步骤：A)基片清洗；B)空穴传输层制备；C)不连续金属银薄膜层制备；D)钙钛矿活性层制备；E)电子传输层制备；F)致密金属银薄膜层的制备。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述不连续金属银薄膜层制备采用真空蒸镀法制备，所述真空蒸镀法的真空度小于4*10^-4帕斯卡，镀膜速度0.05nm/s～0.5nm/s，薄膜厚度2～10nm。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述镀膜速度为0.02nm/s～0.08nm/s。

7.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述致密金属银薄膜层制备采用真空蒸镀法制备，所述真空蒸镀法的真空度小于4*10^-4帕斯卡，镀膜速度0.5nm/s～5nm/s，薄膜厚度50～200nm。