[发明专利]一种三维芯片的结构及三维芯片的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111536077.7 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN114068492A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 龙晓东 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L27/06
代理公司: 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 代理人: 张倩
地址: 710075 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 三维 芯片 结构 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三维芯片的结构,其特征在于,包括设置在衬底板(3)表面的多个金属柱,所述多个金属柱中至少两个所述金属柱之间设置有对版标记(4),所述对版标记(4)的边缘处设置有对版标记保护件(5),在研磨时,所述对版标记保护件(5)作为牺牲层对所述对版标记(4)周围的所述金属柱进行保护,从而避免研磨工艺损坏所述金属柱。

2.如权利要求1所述的一种三维芯片的结构,其特征在于,所述对版标记保护件(5)环绕对版标记(4)的边缘一周,形成封闭的环形结构。

3.如权利要求2所述的一种三维芯片的结构,其特征在于,所述对版标记保护件(5)包括依次套设的多层环形结构。

4.如权利要求3所述的一种三维芯片的结构,其特征在于,所述衬底板(3)上设置有多个凸起结构,每个凸起结构上对应设置一个金属柱;

其中,相邻所述凸起结构之间,以及相邻所述金属柱之间填充有钝化层(1)。

5.如权利要求4所述的一种三维芯片的结构,其特征在于,所述金属柱包括多层金属线(2);所述多层金属线(2)在垂直于所述衬底板(3)所在平面的方向上层叠设置,相邻所述金属线(2)之间设置有钝化层(1);且所述钝化层对应所述金属线(2)的位置设置有导电通孔,所述导电通孔将相邻的所述金属线(2)导通。

6.如权利要求5所述的一种三维芯片的结构,其特征在于,在同一水平面上,所述对版标记保护件(5)的环形结构的宽度大于等于金属线(2)的宽度,所述对版标记保护件(5)和金属柱之间的间距大于等于相邻两个金属柱之间的间距。

7.如权利要求6所述的一种三维芯片的结构,其特征在于,所述对版标记保护件(5)上最内圈的环形结构与对版标记(4)的边缘接触。

8.如权利要求7所述的一种三维芯片的结构,其特征在于,所述对版标记保护件(5)的材质与金属线(2)的材质相同。

9.如权利要求8所述的一种三维芯片的结构,其特征在于,所述对版标记保护件(5)的环形结构的横截面为矩形。

10.基于权利要求9所述的一种三维芯片的结构所形成的三维芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)在衬底板(3)表面的凸起结构上生长金属柱,在至少相邻两个金属柱之间的对版标记(4)的边缘处设置对版标记保护件(5),在相邻两个金属柱之间、金属柱与对版标记保护件(5)之间填充钝化层(1);

2)待钝化层(1)凝固后,对钝化层(1)进行打磨,打磨过程中通过牺牲对版标记保护件(5)对对版标记(4)周围的金属柱进行保护,将原始施加在对版标记(4)外侧金属柱上的打磨压力转移至对版标记保护件(5)上,从而避免研磨工艺损坏金属柱。

11.如权利要求10所述的三维芯片的制备方法,其特征在于,所述步骤还包括:

3)打磨完成后,在对版标记保护件(5)和对版标记(4)对应的位置处形成凹陷层;在金属柱对应的凸起结构上方生长导电通孔和金属线(2),同时生长对版标记保护件(5)至与对应的金属线(2)等高;在相邻两个金属柱之间、金属柱与对版标记保护件(5)之间以及凹陷层处填充钝化层(1),待钝化层(1)凝固后,重复步骤2),对钝化层(1)进行打磨,直至各个金属柱均生长完成。

12.如权利要求11所述的三维芯片的制备方法,其特征在于,所述打磨过程是将衬底板(3)固定在化学机械磨平设备的旋转臂上,通过控制旋转臂的旋转速度和打磨压力,对钝化层(1)进行打磨。

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