[发明专利]一种低功耗传感器中芯片的启动装置及方法有效
申请号: | 202111536214.7 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN113934285B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 翟志国;孙涛;杨松;杜瑞冰;周文骞;陆志远;李春海;王鹏;王琳;刘义粉 | 申请(专利权)人: | 石家庄科林电气股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/26 | 分类号: | G06F1/26;G06F1/3206 |
代理公司: | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人: | 聂旭中 |
地址: | 050222 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 传感器 芯片 启动 装置 方法 | ||
1.一种低功耗传感器中芯片的启动方法,基于低功耗传感器中芯片的启动装置实现,所述低功耗传感器中芯片的启动装置由电源装置供电,所述芯片的启动装置包括电压检测芯片、延时模块,电压检测芯片连接电源装置的电压输出,电压检测芯片的输出端连接延时模块,延时模块的输出端通过或门连接被控芯片的Reset管脚,所述被控芯片由所述电源装置供电;电源装置的电压输出大于检测电压VDF时,电压检测芯片输出高电平;延时模块检测到电平由低变高时,触发计时,计时结束,输出高电平;所述被控芯片的I/O管脚连接所述或门的输入端,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
A、设定所述检测电压VDF大于所述被控芯片的临界工作电压V1;
B、设定电压值V2,根据电源装置的电压曲线,得到电压从VDF上升到V2的时间T,设置所述延时模块的延时为T;
C、所述被控芯片启动后,连接所述或门输入端的I/O管脚输出高电平;
步骤B中,电压值V2的设置原则:根据被控芯片启动过程的功耗和电源装置的特性,得到芯片在电压为V2开始启动的过程中,电源装置输出的最低电压大于V1;
Reset管脚低电平时,一直处于复位状态,当Reset管 脚检测到电平由低变高后,复位过程结束,被控芯片开始启动。
2.根据权利要求1所述的芯片的启动方法,其特征在于,步骤B中,延时T的计算方法为:
根据CT取电设备的性能,得到最差环境下的输出电流I1;
获取电压检测芯片、延时模块、被控芯片的工作电流I2、I3、I4;
设定储能器件恒流充电,充电电流为I1-(I2+I3+I4),根据储能器件的充电曲线,得到储能器件的电压从VDF达到V2的时间T。
3.根据权利要求1或2所述的芯片的启动方法,其特征在于,所述延时模块中电阻(R)和电容(C)与T的数值关系为:
T=-RDELAY×Cd×ln (1-VTCD / VIN)
其中,RDELAY是电阻(R)的阻值,Cd是电容(C)的容值,VTCD是电容(C)的电压阈值,VIN是延时模块电源电压。
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