[发明专利]宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法、太阳能电池在审
| 申请号： | 202111537336.8 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114203842A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 童佩斐;李文杰;李国啸;陈志勇;刘旭辉;杨春雷;冯叶;钟国华;邵龑;李伟民;陈明 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽禁带铜镓硒 光吸收 及其 制备 方法 太阳能电池 | ||
1.一种宽禁带铜镓硒光吸收层，其特征在于，包括铜镓硒薄膜层和覆设于所述铜镓硒薄膜层上的铟镓薄膜层，所述铜镓硒薄膜层和所述铟镓薄膜层的界面经由退火工艺形成有InCu反位缺陷。
2.根据权利要求1所述的宽禁带铜镓硒光吸收层，其特征在于，所述铟镓薄膜层中镓与铟和镓总和的原子比为(0.3～0.7)：1。
3.根据权利要求2所述的宽禁带铜镓硒光吸收层，其特征在于，所述铟镓薄膜层中镓与铟和镓总和的原子比为(0.5～0.7)：1。
4.根据权利要求1-3任一所述的宽禁带铜镓硒光吸收层，其特征在于，所述宽禁带铜镓硒光吸收层的厚度为1.0μm～3.0μm。
5.一种如权利要求1-4任一所述的宽禁带铜镓硒光吸收层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10、将基底加热至第一温度，在所述基底上共蒸镓和硒；
S20、提高所述基底的温度至第二温度，在所述基底上共蒸铜和硒；
S30、保持所述基底的温度为第二温度，在所述基底上共蒸铟、镓和硒；
S40、保持所述基底的温度为第二温度，在硒气氛下对所述基底进行退火处理，在所述基底上制备获得所述宽禁带铜镓硒光吸收层；
其中，所述步骤S30中，在共蒸铟、镓和硒时，控制镓与铟和镓总和的原子比为(0.3～0.7)：1。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S30中，在共蒸铟、镓和硒时，控制镓与铟和镓总和的原子比为(0.5～0.7)：1。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火时间为15min～20min。
8.根据权利要求5-7任一所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为340℃～380℃，所述第二温度为500℃～600℃。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述基底上包含有钼金属层，所述步骤S10共蒸镓和硒时，首先通入硒蒸气使得所述钼金属层的表面形成硒化钼层，然后再通入镓蒸气在所述硒化钼层上共蒸镓和硒。
10.一种太阳能电池，其特征在于，包括如权利要求1-4任一所述的宽禁带铜镓硒光吸收层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
